电子束光刻的邻近效应及其模拟.pdfVIP

维普资讯 第 55卷 第 1期 2006年 1月 物 理 学 报 Vo1．55，No．1，January，2006 1000—329O，2o06，55(O1)／0148-07 ACTAPHYSICA SINICA ④2006Chin．Phys．Soc． 电子束光刻的邻近效应及其模拟* 孙 霞 尤四方 肖 沛 丁泽军 (中I$1科学技术大学，结构分析重点实验室，物理系，合肥 230026) (2004年 12,El14日收到；2005年 3月 8日收到修改稿) 用MonteCarlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因索——邻近效应的影响．分析了入射 电 子柬的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响，并与实验结果进行了比较 ，发现模拟结果 与实验结果符合得很好．分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大；衬底原子序数越大，衬底越厚， 入射 电子柬能量越低，邻近效应越大． 关键词 ：电子束光刻 ，邻近效应，MonteCarlo PACC：3480，7450，7115Q 制，但 由于电子在抗蚀剂和衬底中遭受散射，改变了 1．引 言 其运动方向，将会 引起另外一个影响分辨率 的效应 — — 邻近效应．邻近效应与入射电子束条件、抗蚀剂 半导体微 电子工业正按 Moore定律，即单位面 和衬底条件都有关联，本文通过MonteCarlo方法模 积硅片上的晶体管集成度以每三年翻两番的速度迅 拟了电子在抗蚀剂和衬底 中的散射过程，以及抗蚀 速发展 ．集成度的不断提高使器件的特征尺寸越来 剂中电子沉积能量的分布，得到了电子曝光后抗蚀 越细 ，美国 1997年国家半导体技术指南n指 出，到 剂的剖面图，分析了各种初始条件包括入射电子束 2009年最小线宽要达到 50nm的水平 ．纳米器件 的 形状、能量，抗蚀剂厚度，衬底类型等对 电子曝光的 研制成为当前世界科学研究急需解决的问题．光刻 影响，并与实验结果进行了比较 ，发现入射电子能量 技术是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术 ， 相同时，具有高斯分布的电子束远比理想 电子束的 常规光学光刻技术对微电子工业的迅速发展作出了 曝光范围大，入射 电子束能量越低、衬底越厚、衬底 巨大的贡献，每一代集成 电路都对应着一代特定的 的原子序数越大 ． 光刻技术 ．尽管如此 ，常规光学光刻技术由于受瑞利 公式的限制 目前正面临严重挑战． 2．邻近效应 与光学光刻相比，电子束光刻的优势是十分明 显的．这是 由于 电子的波长很短 ，只有 nm量级 ，不 邻近效应指的是由于电子在抗蚀剂和衬底 中受 受衍射效应的限制 ．因此 电子束光刻具有极高的分 到散射使电子偏离原来入射方 向，于是原来不想曝 辨率，甚至可以达到原子量级．多年来电子束光刻一 光的近邻地方被曝光了，而有些想曝光的区域得不 直被看成是器件尺寸缩小到光学曝光不满足要求时 到足够的曝光 ，引起 图形的改变 ，影响分辨率 ¨ ． 的最佳方案 ，由电子束曝光制作的器件最小尺 电子在抗蚀剂和衬底中的散射可以按照其散射 寸可以达到 10—20nm．电子束光刻 由于是无掩模直 的角度分为两类 ：前散射和背散射 ．散射后的电子与 写型的，因此具有一定的灵活性 ，可直接制作各种图 入射 电子方向的夹角小于90。时是前散射，反之大于 形 ．另外电子束光刻还具有聚焦容易、可控性强、动 90o时属于背散射，示意图如图1(a)所示 ．