基于能带计算纳米尺度MOS器件模拟.pdfVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 基于能带计算的纳米尺度犕犗犛器件模拟  余志平 田立林 　 （清华大学微电子学研究所，北京 １０００８４） 　 摘要：随着器件沟道长度的不断缩小，多栅结构（包括 ）被普遍认为是有效改进 ／ 的手段 量子力学 犉犻狀犉犈犜 犐 犐 ． 狅狀 狅犳犳 效应对 中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年 在沟道截面被局限在数纳米量级时，一个更基 犕犗犛犉犈犜 ． 本的固体物理问题，即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性，逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影 响 本文讨论如何从第一原理出发，高效率地计算沟道区的能带结构 在得到载流子的输运参数（有效质量、迁移率 ． ． 等）的基础上，通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性 考虑到应力对能带结构和散射 ． 机制的影响，还研究了载流子迁移率与晶向的关系． 关键词：犕犗犛犉犈犜；能带结构；纳米；器件模拟 ： 犈犈犃犆犆 ２５６０ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３８６ 犃 ０２５３００２４８０４ 　　　 　　　 为了在沟道不断缩短的前提下，有效地控制关 ［］ ３ １ 引言 态漏电流，理论分析 已指出必须合理地设计器件 　 结构以实现尽可能小的定量表征短沟效应的“特征 硅 集成电路技术的进一步发展受限于 长度”采用超薄沟道层（ ）的双栅结 犆犕犗犛 ． 狌犾狋狉犪狋犺犻狀犫狅犱狔 ［］