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纳米材料与结构
!#$%’()* + ,(-.-(’
!#$ % !’()$!’ 调制掺杂结构的
! !
*+, 优化工艺生长
谢自力，邱 凯，尹志军，方晓华，陈建炉，蒋朝辉
（南京电子器件研究所，江苏 南京 !## $ ）
摘要：通过对 %’ 工艺中影响()*+ 和 *,()*+ 材料质量的生长关键工艺实验研究，优化了
%’ 生长*, () *+. ()*+ 调制掺杂结构工艺。用(’/0 ! %’ 设备生长*, () *+. ()*+ 调制掺
! -! ! -!
杂结构材料，得到了高质量的*, () *+. ()*+ 调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性，
! -!
得到材料参数的典型值：二维电子气浓度在室温时为 -! ，电子迁移率为 ! ·；
12$3# 45 $### 45 . 6 +
在 低温时浓度达 -! ，电子迁移率为 1 ! ·。用 法测量其浓度分布
77 8 9213# 45 2:93# 45 . 6 + #$
表明，分布曲线较陡。典型的器件应用结果为：单管室温直流跨导达!;# 5. 55 ，在 ! (= 时
均有; ? 以上的增益。
关键词：分子束外延；异质结；量子阱；调制掺杂；二维电子气
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
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