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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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掺杂对 低 薄膜结构与电学性能的影响!
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卫永霞 钱晓梅 俞笑竹 叶 超 宁兆元 梁荣庆
!）（苏州大学物理科学与技术学院，江苏省薄膜材料实验室，苏州 #!$%% ）
# ）（复旦大学现代物理研究所，上海 #%%’(( ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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以十甲基环五硅氧烷（ ）和氧气（ ）作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ ）方
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法制备了 的 薄膜 研究了 掺杂对薄膜结构与电学性能的影响 结果表明，采用 掺杂可以在保
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持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流，提高薄膜的绝缘性能，这与薄膜中 立体鼠笼、 结构
450, 450,6
含量的提高有关7
关键词： 薄膜， 掺杂，介电性能，键结构
45.,6 ,
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氢分子作为添加剂，使之吸附在沉积的薄膜中，然后
!3 引 言 通过后续热处理工艺去除碳氢分子而留下孔
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隙 !$ 7但是，能否在环结构有机硅沉积薄膜时通过
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