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电子束双偏转扫描系统的设计 康念坎 (中国科学院电子学研究所北京100080) 王理明 张福安 (中国科学院电工研究所北京100080) 摘要 与透镜后偏转系统相比较。透镜前双偏转系统具有可采用较小的工作距离和容易实 现电子束垂直着靶等优点，而且通过在两偏转线圈之间设置一个转角可以降低复合磁聚 焦偏转系统象差。本文对系统的结构和电气参数对电子光学特性的影响进行了计算机模 拟，从中找出了最佳的工作参数，并提出了一种能较好地满足计算精度要求的偏转器结 构设计。 关键词：电子束双偏转器偏转象差 一、引言 偏转系统是扫描电子束仪器和装置的主要部件之一，它直接影响着上靶束斑的尺寸 和位置精度。对于高分辨率、高精度和高速度扫描电子束系统，一般都采用偏转象差较 小的电磁偏转器。为了寻求象差晟小的结构，已经提出了各种不同的线圈配置方式，例 如透镜后偏转、普通透镜前双偏转、第二线圈相对第一线圈有一定转角的透镜前双偏转， 第二二线圈置于透镜中的双偏转，单个透镜中偏转，带预偏转器的透镜中偏转等“’。对r 形形式式的结构复杂的偏转器，通常必须依靠计算机模拟进行优化设计来确定最佳的l 作参数。 我们准备在一台商用高分辨率扫描电镜上试验偏转系统的性能。在不对扫描电镜现 有耋占构作太大改动的前提下．可供选择的偏转方式有透镜后偏转和透镜前双偏转两种。 在前t种情况r．由于要将偏转器置于物镜下极靴卜面而不得不采用较大的工作距离， 冈而使得物镜的焦距加大，系统的球莘和色莘剧增。不过这种方式可避免物镜微调时使 偏转场，。生旋转，涡流的影响也小。对丁透镜前叔偏转方式，根据象筹理论，若两线阁 之间铂 相对转角，将会产生附加的备向异性象筹，部分抵消由透镜场引起的苒向芹r|j 象筹．从lm使复合聚焦偏转系统的总缘著降低。同时，采_【：}j透镜前双偏转方式毂容易‘实 现J也f求，1-：行着靶，冈而可消除革片高度误筹对求斑尺寸的影响。显然，由丁|有两个线 旧，义增加了‘一个相对转角变量，透镜前坝偏转系统涉及的结十勾参数相脚增多，其波计 计算变得更为复杂，必须通过计算机模拟才能得到最佳的|殳计。 本文首先对电子束双偏转系统的主要结构和电气参数与象差的关系进行计算机模 拟，然后分析偏转器的几何参数对偏转象差的影响．最后对一种能较好地满足设计精度 的结构方案进行讨论。 二、复合磁聚焦偏转系统象差的计算 幽1为电子光学系统示意图。聚焦系统由一个坡聚光镜和一级物镜构成。由上、下 两个偏转器组成的透镜前双偏转系统位于物镜线包内。对这类复合磁聚焦利偏转系统的 光学特性已有全面的理论分析”’和具体计算方法。”。下面我们将计算系统的主要结构和 电气参数对象差的影响，从中找出最佳的设计参数。这些参数包括r作距离，两线圈的 相对转角和安匝数之比，以及物镜．F极靴孔彳}}=。 1、最佳一I：作距离的选择 象差理论指出，随着工作距离的增加，轴上象差(球差和色差)将增大，而轴外 象差(场曲象散等)将碱小。因此可预期在某一工作距离下总象差取最小值。在我们 的’情况F，此最佳L作距离约为35mm(图2)。 2、两偏转线圈的最佳相对转角 在透镜前双偏转系统中，由于电子在磁透镜中作螺旋运动而引起的各向异性象 著，可以通过将第二偏转线圈相对第一线圈旋转～个角度所引起的附加象差而得到部 分补偿，从而达到降低复合系统总象差的目的。计算表明在我们的系统中最佳转角约 为168。(图3)。 3、两偏转线圈安匝数之比的最佳值 为了降低象差，要求电子束经过双偏转系统后通过物镜光栏的中心打到一J：件面 上。因此当两线圈之间的距离确定后(一般尽可能将此距离选得大一些以提高偏转灵 敏度)，其安匝数之比应满足这一条件。通过对象差的计算确认安匝数之比的最佳值 人约在1：3(图4)。 4、物镜r极靴孔径对象筹的影响 在扫描电镜中，为追求高的轴上分辨率通常采川很小的【+作距离．这时为防Il磁 力线渗透刽样品上降低二次电子的收集效率，一股把物镜F极靴孔径做得很小。但若 要求的偏转场尺寸较人．则轴外象蒡变得很显格。为获得较小的总象著，应将J：作距