硅二维腐蚀速率分布图的测试新方法.pdfVIP

STC’99 硅二维腐蚀速率分布图的测试新方法 杨恒。 ：尹聍 沈绍群‘ 鲍敏杭‘ 张大j妒 武国英6 李志宏。 蠹 复旦大学电子工程系 上海市200433 北京大学微米纳米技术国家实验室北京市100871 摘要：本文提出了测量硅二维腐蚀速率分布图的一种新方法。该方法 利用深反应离子刻蚀(DRIE)在硅片表面刻蚀出垂直于硅片表面的一系 列晶面，利用显微镜直接测：量各晶面的腐蚀速率，可以得到一个二维的 腐蚀速率分布图。由于DRIE刻蚀出的晶面深达近百微米，可以得到较精 确的结果。将一系列二维腐蚀速率图结台在一起，可得到三维腐蚀速率 分布。本文给出了硅在KOH溶液中和TMAH溶液中(n11)面的二维腐蚀速 率分布图。 关键词：各向异性腐蚀，深反应离子刻蚀 一、引 言 硅各向异性湿法腐蚀技术在微机械加工中得到了广泛的应用。为 了较精确地预测掩模腐蚀和无掩模腐蚀形成的结构，已开发出一些基 于几何模型的腐蚀模拟工具。这类腐蚀模拟程序需使用硅各向异性腐 蚀速率分布的数据，模拟的精度由腐蚀速率分布的精度决定。 目前已开发了多种方法[1l[Zll3l用以测定腐蚀速率分布。典型的测量 方法是制作硅半球，通过测量腐蚀前后硅半球的外形变化测定腐蚀速 率分布。由于在各向异性腐蚀时半球上腐蚀速率慢的晶面会迅速消失， 为测得较高精度的数据必须使半球的半径足够大，文献【3l中使用了半 径为22ram的硅半球，测得的数据角度间隔为2。。该方法必矮使用高精 度专用测量仪器。 本文介绍一种利用微；6『L械加工新技术来测定腐蚀速率分布的新方 法。该方法利用深反应离二F刻蚀技术(DRIE)在硅片上刻蚀出侧壁垂直 于硅表面的深槽．通过测量深槽在腐蚀前后的宽度变化就可得到相应 的二维腐蚀速率分布。由j2槽很深．可经受较长时间的腐蚀，所以，采 用一般的显微镜就可得到较精确的数据。将不同晶面上的二维腐蚀速 率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布。 ammonium hydroxide)中{n11}面的腐蚀速率数据。 二、原 理 近年开发成功的DRIE技术可制作侧壁与表面夹角为90。土2。、深度达 数百微米的深槽州。在硅片上利用DRIE设备制作矩形深槽，深槽的指向 从O。变化至360。，其间隔由所舞的精度决定。矩形深槽的侧壁可认为是 垂直于硅片表面的。通过测量腐蚀前后槽宽度的变化t就能够测定二维 量 腐蚀速率分布。腐蚀速率R为 R：丝 (1) 2，． 其中ab为槽宽度在腐蚀前后的变化，t为腐蚀时间。增大腐蚀时间可以 减小腐蚀速率的测量误差。但是腐蚀时间也不能太长，因为在腐蚀过程 中．在大多数深槽侧壁的顶部掩模边界处和底部凹角处会有腐蚀速率 慢的晶面出现。这些晶面使侧壁的垂直部分变小直至消失，如图1所 引f_竭垂直侧壁一 图l掩模边界和底部与底面交界处 图2 DRIE掩模 出现慢面使垂直蜘壁变小 由于在顶部有慢腐蚀面出现，所以腐蚀后无法直接测量两垂直侧 壁的宽度，必须研磨去除一层硅，直至垂直侧壁暴露，然后进行测量。 童 三、实验及结果 实验中使用了电阻率为和8Q衄的(110)硅片。在硅片上热生长一层 1岫厚的氧化层，用作DRIE和以后各向异性腐蚀的掩模。掩模图形如图 2所示。图中深色区域为腐蚀窗口。图形中央四条长矩形