硅基PZT微麦克风与扬声器的振膜设计.pdfVIP

STC’99 硅基PZT微麦克风和扬声器的振膜设计+ 任天令赵洋刘_理天李志坚 清华大学微电子学研究所，北京 100084 ■ 摘要 本文的目的是为高灵敏度、集成化的微麦克风和扬声器的核心结构—pzT悬臂式 援膜的实现奠定基础。利用锆钛酸铅(PZT)铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将 PZT铁电薄膜与硅工艺相结台，研制悬臂式铁电—硅集成微麦克风和扬声器。利用多膜片 模型对PZT握膜结构进行了优化设计，从而为集成微麦克风和扬声器核心结构的最终实 ■ 现莫定了设计基础。 关键词PZT：微麦克风和扬声器；悬臂式结构；铁电-硅集成 一引言 微型麦克风和扬声器是重要的声学器件，在信息、军事、工业以及日常生活中有着 广泛应用。麦克风属高灵敏度、高性能器件。传统的电阻式、动圈式麦克风具有体积较 大，价格较高，频率响应差及噪声大等缺陷，而传统的驻极体式麦克风虽体积较小，价 格较低，但频率响应、噪声、时间和温度稳定性等指标都较差。适应微型化、高可靠性、 低成本的发展趋势，80年代中期以来，人们利用硅微枫械加工技术研制各种原理的硅基 麦克风，如压电式、电容式、压阻式、驻极体式等。综合考虑各种技术和经济因素，一 般认为前两类微麦克风更有优势。压电式麦克风～般采用ZnO或AIN等压电膜材料，利 用了压电膜将力、电性能耦合于一体的特点和柔顺的悬臂式的振膜结构，因而相对电容 式麦克风具有更高的灵敏度，也更易实现麦克风和扬声器的单芯片集成。 铁电体是具有自发极化且其自发极化可随外电场改变方向的压电体。相对于一般非 铁电性的压电体而言，铁电体一般具有更大的力电耦合系数和介电常数。当然，通常情 况下铁电体韵组分也较一般的压电体复杂，其制各方法也相对复杂，这也是以前人们只 是利用ZnO或AIN等非铁电的压电材料来制作电子器件，而较少利用压电性能更为优异 的某些铁电材料的重要原因之一。当今，髓着材料制各技术，特剐是铁电薄膜制备技术 的迅速发展，使得在硅片上制各高品质的铁电薄膜从而实现铁电薄膜与硅材料的集成器 件成为可能fl}。在本论文的研究中，我们提出采用压电性能远比Z,nO优越豹PZT铁电膜 (PZT的压电系数是ZaO的lO倍以上)来制各铁电*硅微麦克风和扬声器，因此，当我们 重 采用PZT制作微麦克风和扬声器时，预期其性能应远比ZnO优越，其灵敏度将远高于国 外现有的压电式微麦克风和扬声器。从其应用领域来看．这一高性能的集成器件除可应 用于现有的高档录(放)音系统、助听、窃听等方面外，更可望在多媒体的语音输入、 输出，移动通信系统等领域得到重要应用． 本文将对这一高灵敏度、集成化的微麦克风和扬声器的核心结构一PzT悬臂式振膜 ● 结构进行设计，对振膜各层材料和厚度的选取进行研究。 二悬臂式振膜结构设计 以前的微麦克风中多采用夹固式振膜结构 这种结构中残余应力往往比较大，降低 了灵敏度。本文的设计是采用悬臂式振膜结构 这种结构可增加膜的柔顺度，提高灵敏 度【2J。图l给出了这种悬臂式振膜的基本结构。 107 其中上电极可采用Al或R等：铁电薄膜采用PZT；底电极可采用Pt、多晶硅或RuO： 等；基底可采用多晶硅、单晶硅或氮化硅等。 e