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第35 卷 第6 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.35 No.6 Mar.20, 2015
1482 2015 年3 月20 日 Proceedings of the CSEE ©2015 Chin.Soc.for Elec.Eng.
DOI ：10.13334/j.0258-8013.pcsee.2015.06.024 文章编号：0258-8013 (2015) 06-1482-08 中图分类号：TM 76
驱动脉冲边沿调制技术
及其在开关尖峰抑制上的应用
郭永，贺超，陈国柱
(浙江大学电气工程学院，浙江省 杭州市 310027)
A Technique on Driving-pulse Edge-modulation and Its Application in
Reducing the Switching Voltage Spike of Power Electronic Device
GUO Yong, HE Chao, CHEN Guozhu
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, Zhejiang Province, China)
ABSTRACT: With the development of power electronics, the 0 引言
switching speed of power semiconductor devices is increasing,
现代电力电子器件的快速发展，使得功率半导
and the voltage spike at switching off time of PWM inverter
becomes a serious problem. This paper developed a new 体器件的开关速度和功率等级不断提高，开关器件
technique on driving pulse edge modulation. By modulating the 能够在越来越高的频率下工作。但是，高的开关速
density and width of pre-pulse-train, the slope of driving signal 度和更大的电流会产生较高的电流变化率，由于线
can be controlled without changing the hardware circuit. This 路上存在分布电感和一些器件本身存在的反向恢
technique can be used in the driving circuit based on digital 复过程的影响，开关器件在开关的瞬间会产生较大
control to reduce the switching voltage spike of power 的尖峰电压[1-7] 。
electronics devices. The experiment on an insulated gate
目前较常用的功率半导体器件有晶闸管，功率
bipolar transistor (IGBT) based inverter proved its validity and
practicability. 场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect
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