单模低发散角光子晶体垂直腔面发射激光器.pdfVIP

2-3 单模低发散角光子晶体垂直腔面发射激光器 刘安金渠红伟陈微周文君邢名欣郑婉华+ 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 北京市海淀区清华东路甲35号，100083 ’通信作者：!§丛!B鳇!!鲤：兰￡：篮 捕要：本文研究了单模光子晶体垂直腔面发射激光器(PC-VCSEL)中光子晶体波导对光束远场形貌的调控。首先基于三层 平板波导模型，发现光子晶体周期、占空比(空气孔直径和光子晶体周期的比值)和刻蚀深度控制了单模PC-VC$EL输出 光束的发散角。在稳定单模工作条件下．大周期、低占空比和浅刻蚀有利于获得小发教角。然后采用有限时域差分(FDTD) 方法详细研究了真实尺寸大小的PC-VCSEL输出光束的远场形貌，并获得了不同结构参数下远场发散角的理论值。最后设 计并制作了三种结构参数的的单模PC-VCSEL(编号为A，B，C)。测量结果表明，三种PC-VCSEL在整个工作电流范围内郡 实现了单模工作(边模抑制比超过30dB)。远场发敏角分别为5．I-5．5。(A，理论值为5．2‘)，6．g-7．4’(B，理论值 为6．5。)和6．6-7．2。(C。理论值为6．2。)。 关键词：单模，发散角。光子晶体，垂直腔面发射激光器 1． 引言 垂直腔面发射激光器(VCSEL)广泛应用于光通信、光互联、激光打印、环境检测、 原予钟、激光鼠标等领域。然而这些应用要求VCSEL单模大功率低发散角输出。作为一 种能够非常容易实现单模输出的器件结构——光子晶体波导结构垂直腔面发射激光器， 也被称作光子晶体垂直腔面发射激光器(PC-VCSEL)u。31，因其设计灵活、设计制作容 差大、重复性好等优势，在过去几年中受到了广泛的研究。之前对PC-VCSEL的研究主要 集中在光子晶体波导对VCSEL的横模调控上，而本文研究了光子晶体波导对VCSEL输出光 束远场形貌的调控。 2． 三层平板波导模型分析 基于PC-VCSEL高对称性结构，我们将它简化成三层平板波导并获得了其近场分布， 然后基于傍轴近似的夫琅和费衍射理论得到了其远场分布，发现光予晶体波导引入的折 射率差控制了PC-VCSEL的远场发散角，而折射率差又由占空比和刻蚀深度决定。图l表 明，在稳定单模工作条件下乜1，大周期、低占空比和浅刻蚀有利于PC—VCSEL获得小发散 角吐 ·(b) 一A ， ’、 …e ’‘ C ． ，，I 、 …。O i ’ j| l ． i ÷ j e ＼．