CdTe%2fCdMnTe多量子阱的生长与激子复合动力学性质的研究.pdfVIP

CdTe／CdMnTe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究 jl：希沽 此方它通J、‘1jj r{ 把电子技术研宄所 北京10004 Z K f，1r】z 21l’Ecntof 1hc K ”【)H r，’’E【nI、rj≮．t、0{S：1 Ph}s：OS， tl(,ng cln：L·。ln【】I(，chno(，C、 摘要 X 刖分子小外延赴GaAs，I底^[1：KJ e多颦f阱绐4-j。利f；J CdTeCdo8Mn021 CdTe 现不臣激发密度F发光衰减时间不同．认山它的讥理可能是无辐射复台引起的。 PACC：7340i78{?： 7865 一、1J i1 II一＼1 0《半磁：#导体共订非常硅著的磁龙放f、!，如曰丛曼分裂、自法拉铺效应孳． 51 在剖作高造比丌关等精密光学器件中县有重要日0作吲11-1 f目是，葡化物半旨体与GaAs 接生GaAs衬底上生长量子目}很难长好，因此必须优化生长条件和生长适当的过渡层， ／4毙在GaAs衬底上生长出较好的超品格和量子阱。 研究中，都只讨论激子的辐射复合的一些特性，没讨论辐射复合与无辐射复合之问关系 的～些特性。另一方面，剧半导体量子阱和超品格材料制备的光电予器件的运行机制都 足由激子性质决定，因而深入研究量子阱和Jl丑t吊杆的激f传输、复台、衰减以及’j元激 发态自0相互作用，了解量子阱和超品格中激Ji运行机理，埘半导体遮于阱和超品格光电 ‘』、T|^搿到用糸目然科学毕命、中i习引学院激发惠物堙¨被w『究j；验室笙坫惫赞助 子器件的设汁及制各是非常重要的。≥；于上还原因，本文报道了CdTe／CdMnTe多量子 阱结构的制备，并利用X射线衍射()(I∞)、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的ps 时间分辨光普中，发现不同激发密度下发光衰减时间不同，认为它的机理可能是无辐射 复合引起的。 二、实验结果和讨论 2．1样品的制备和结构特性 势垒的生长温度和，土长速率都是十目同的，他们的厚度由生长时问控制。过渡层和覆盖层 都是CdMnTe，过渡层厚度为1．5 u，澎盖层厚度为40nm，周期为20次，势阱的厚度为 9rim，势垒的厚度为9．5rim，Mn的组分为0．2。 “ ”“ “二o’ F％Jh、RD十“lⅢ∞ron洲P州j 图可以看出量子阱的卫星峰出现了0、．I、．2阶衍射峰。 2．2CdTe／CdMnTe多量子阱的激子动力学 在ps时间分辨发光光谱测量中，是用YAG锁模激光器的2倍频泵浦染料激光器(倾 倒空)，激光波长为570nm，激光脉冲宽为15 70 ps，重复频率为4MHZ，功率密度为1 rrtw／c]rt2，接收用条纹相机和微机系统进行控制、数据记录和处理。 56 Tu… “’o意====．!：1… 间分辨光谱。在