封装中引线键合强度降低原因分析.pdfVIP

封装中引线键合强度降低的原因分析 李鹏，包，卜祥．张德政，马丽丽，吕德春 (自十#H★{mT*B+，mm8*口$m^《#{№“6100541 *《：m自f*《十目目mrⅡ％#m“#$ZⅢ0I目*e∞^^女m*Ko，**¨＆∞qⅡ．∞弓|＆∞☆＆$．n湘々 K∞＆q¨n．^m“∞*m#^m≈☆I #*m#*-J20c∞日#☆№*ⅢM■“p岫ⅫH#【怍oU§*m＆“”日自w”jf##“∞日日《±￡』{j$EM m№m#目H*．≈，，『＆％☆tI】∞Amt“±目mmmHH*∞Ⅻ≈． *qH：mtf**．＆“镕☆．#Ⅲ4*十*：$OT23自“*． TN3116 im“mm-A』々％9： m目№口t Reason 0f DescentofWire lnthe AnalysisStrength Bonding rackIrl空 Li LY Peng 61∞54，chmm 舳sh…For ckcn曲l clw嘶 c腓…c8∞obg“}it…Ih………∞……thewayol…hndmgfor…k u…ii“validm岫But 州“P“l“女4malso洲…kdⅢgtcchnology驯“glune㈣僦㈨d”a3 tt atlh㈣l …Ih…and删v^o”Ki响dall呦d…㈣lnllcI删删…㈨b。1ndm8Aimin8 sm”…ln川150-C175Z。h skL 5∞10∞Iiows…●m口lcd…圳thth…B“20℃刊胛1w“m M㈣the mumm…，l‘q帕㈣fmJcm。…删‘“…th*…删州tbrmⅢ…㈣by…叩州for ^ILnounI¨，¨c蛐I％¨theformo㈧K圳、Ⅷ^orwⅡbo幽§ Aa andAI ㈧a¨wI女tmodel㈣hnⅢ¨ Key㈣…∽J…n“恻ck91M bmding EEACC2530 1引青 Multiplexer攫0试机进行相关的电参测试。在 50℃、 礅电子封装巾，对分离电子7‘器件的封 这些合格的管子巾冉建上院84}{进行I 盐多采用{『线键合的斤式史现摹扳与管脚引 175℃的高温存储试验(HTSL)，1000小时后 线的且连技术．1llJ引线键合技术“I。’r导体进行电参测试。将选好的样品进行切片分析． 器件的火教约肖l门l“址}II引线键合引起埘稿：175V的高温按什F存储1000d,时后电 的，键合强度对lc产品台格率冉很人的影响参失效的样品进行微观结构咀及兀素分析。 D”。引线键合技术中．无论是金卅线和锚金 3结果与讨沧 屈化层还是铝蝗和盘的金属化层的键台都会 3l电参测试 彤城Au-AI的金属问化合物”～。在相当K的用KCC蛾封料封装的84粒管了中有12粒 段时间内．人们对Au．AI系统在引线键台 是电参v如失效。所谓电参v审，即在加测试 时产生的金属叫化台物的组成成分殷失效本 条件删}，二极管的lL向脉冲电压值失效。故 质r解不足报仝而，从『酊辖Au．AI系统的焊将试验的恃，分成凹组：20C(K1-2)、150C 接失效』1结丁观察§q的紫色物质0l起的，即 俗称的“紫搿效应”，认为足键合]：=艺-{-最常的好管了、175℃经1000d,时v如