SiGe分子束外延材料及应用.pdfVIP

SiGe分子束外延材料及其应用 李开成张静刘道广文尧易强 电子部24所，模拟集成电路国家重点实验室最庆南坪花园路14号邮编：400060 1．引言 世界上最早的在硅衬底上的SiGe外延层是在70年代中期由德国AEG研究中心的E Kasper等 HBT(异 与电路已研制成功，而且Maxim公司的超低噪声放大器已商品化生产，但是，世界上集电极电流 Benz公司SiGe／SiHBT器件仍采用以MBE方法为 截止频率最高(fT=170GHz)的德国Daimler 基础的外延材料。本文中，将介绍我所分子束外延材料研制情况，给出有关的测量结果。作为SiGe 材料应用的一个饲子，将给出用本所研制的SiGePMOS器件的主要特性。 2．SiGe材料的分子束外延生长 RD 采用法国Riber公司进口的SIVA32MBE设备进行SiGe外延生长。该设备的极限真空度 Ij『达到4．0x Software。按照严格的程序对样品进行化学清洗与处理后，将片子放入装片室。加热去气后，将样 品传递到生长室。在高温去除样品表面极薄的自然氧化层之后，根据需要生长外延层。在大量实验 性进行分析、测试。利用霍尔效应测试仪、扩展电阻测试仪和一二次离子质谱仪测出了材料的迁移率、 电阻率和杂质浓度分布等特性。 3．SiGe材料特性表征 3．1捌庳缪嚓吻。希搠协蝴琦腰鳓蟹分别测量了P／P、N／P结构的纵向杂质浓度分布，结果如图l 所示。 延界面，是汽相外延及其它方法无法比拟的。 3．2旅度藕睇摹御量r 电阻率、迁移率等重要电参数。下面是n．SiGe／p．sub结构的一组测量数据。 Q 衬底： 晶向100，电阻率7～13cIn； SiGe： 厚度2000A； cm2／v．S 载流子浓度： 浓度2．2×10”cIlr3，迁移率250 参数是相对数值。但是，图中曲线清楚地表明，外延层中Ge、B等分布是均匀的。 导G。=130，漏源击穿电压BVDs=16V。 ” i—ii墓。 叠篁啊-哪l ：：÷嚣：蠹：嚣}：：；哿警0。 “=f 熙‘!∥“。”“””““ m_ 蚓I 图2 ，f 1e㈣e jS口2一1．d8t 图3 2并MOSFET的I—V输出曲线 8