表面台阶光刻胶折射和盲区效应.pdfVIP

表面台阶光刻胶折射与盲区效应 』二纪民 李瑞体 f消7乎人学微电子学研赶所JL京|00084) 搪要： 硅片表面存在台阶划．I{ir光刻腔的折射作用，会在台阶附近造成曝光盲区。引起 光刻残股。本文给出f贱胶肇与倾角大小，涂赦厚度之问的解析关系式并对光刻工艺进行r 计算机模拟。为减少残胶量，颁将台阶倾角减至某个阂值以F，I舡在线条问距较小并与台阶 走向平行时，赢避外台阶斜面。 光刻工艺足集成电路制造的关键工艺之’。随着工艺尺寸的缩小，影响光刻工艺质量的 一些二级效应，如驻波敛应等，和芯，t表商形貌设计川日益引起人们的注意。本文对表由台 阶光刻胶折射引起的曝光盲区效应进行了研究。这种效应会托台阶附近造成光刻钱胶并严重 影响光刻工艺质鬣。 本文钳‘肘光刻胶表面形貌与硅片表囱台阶保角∞情i兕建移r组解析方程式。同刊用 OPTOLlTHl2]光刻模拟软什列光刻i．艺进行模拟，并将计算与模拟缩粜进行r比较。与用 软件模拟相比，解析式能更清楚地说叫光划胶钱镪曼与r艺参数之问的关系，并能更快地估 计出1+艺结果。 1理论分析 7ADO 图1是矗：芯片衷面台阶上涂散光刻胶后的纵向剖晒图和繇光光路陶。图t}『折线A 为芯片顼郝台阶表面，折线abTc为光刻胶的f二表斯，它与Y轴的变点为T。X轴0点为光 刻胶台阶的起点，坐标原点为O点。撕折线之问为兜刻胶，厚度为屯；g为曝光光线相对 台阶斜面法线的入射角，卢为折射角，从计算机模拟和强微镜观察的结果来看，在通常情况 F．光刻胶上表丽除图i∞b点酣近变阔外，上F表衙形貌基本一致，即在下点保角。但是 上表面斜边各点均向台阶对豳平移一段距离d”=CO，do称作斜面位移，jt要与光剞胶厚 度和台阶倾角有关，可以用}：式近似袋示 do=K．屯．口；其中，目为台阶斜向倾 角，单位为度。足是一个与r艺百关的系数，这 ～y ／ 里，KTM00089艘。如果令马r磊／to刚有 ／ 8， 仉一K．口D。称作I，{一化位移。 —≮t7 o 假定存T点附近l：F表面对应线段相可=、乎 T 行。入射光线k以入射角d{hT点左侧射入， 穿过b—T斜面发生折射，折射角为口穿过光 i 刻胶后与x轴交于D点，同时+入射光线L， }／ 也从T点右侧射入，入射角为(Ⅱ一毋)．穿过 {，，∥ T—C平面发生折射后与x轴交fE点。州以看 ： 出三角形DTE内部没育光线射入，称作一次曝—≮j|：{ 。、 CDoE 光盲区，即这部分光刻胶没有曝光，显影后将 留下残胶。三角形顶角为y，我们称它为自区 翻l曝光光路阁 的张角。张角越火，碱留胶量就越大。n±是， 当口增大时，光刻胶台阶斜蕊bT在硅片表稿的投影将变小，f{|f张角y变天，D点×啦拆 ——290—— 巩将变大。当bT投影小于《时，南1x将会变小。本文讨论限于bT投影大干哦t即折射 盲区效应起主宴作用的部分。 张角尚a，0的关系可由卜．式表示： ，：0一卢+arcsinL,…sin(io：…-6)、， 其中月，为光刻胶的折射率。 囤2是张角