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硅基体列阵式通道电子倍增器 姜德龙卢耀华李野端木庆铎富丽晨田景全 长春光学精密机械学院光电技术研究所130022 摘要：本文介绍了硅基体列阵式通道电子倍增器AI。MCP及其工艺特点，指出了工艺 中出现的新现象，展示了其发展前景。 关键词：硅基体，微孔列阵，长径比，打拿极 1．弓f言 微光夜视和电视、高灵敏度粒于成像探测和，tf计数、大屏幕快速图象丘示以及x射 线诊断等系统，已在现代武器装备、空间技术和核辐射探测等领域中得到『t泛应用，其中 微光陶象增强器件的核b部件就是．维列阵式通道电子倍增器件一．徽通道板(McP— MicrochannelPlates)，如陶j所 示。为r满足图象探测时更高分辨 率(大j-601p／mm)的新要求，因 此，通道扎径必须小于6岬，整板 性能电要有较大的改善r如几何保 真度和信噪比商，固定图案噪声小， 动态范围宽等)；另外在某些场台， 如大屏幕显示和x射线诊断系统等 需要高分辨率和大面积(CmlOOmm) 圈l 二维列眸式通道电子倍增嚣～微通道板 的倍增器件。实践证明，选用传统 玻璃多纤维拉制工艺是很难实现的。但通过理论分析和韧步实验表明，刹用先进的半导体 器件制造1。艺和微米／钠米加工技术能够制造出新型的以硅为基体的列阵式通道电子倍增 器，此处称之为先进技术微通道板(AT—MCP，即Advanced 件。 与传统工艺相比．现采取的新工艺可将基底材料和打拿极材料选择分开，将微孔列阵 和连续打拿极形成工艺分开，这样就彻底解决了传统McP玻璃多纤维拉制和氢还原处理间 相瓦牵制的矛盾，也给采用高纯材料和采用新工艺制作打拿极创造了条件，为MOP性能的 突破性提高找到了新途径。因此这种新材料的器件的诞生．将会更进一步提高成像器件的 质量和推动MCP的新应用领域的展宽， 2．国内外工艺进展情况 596 了大量工艺模拟实验，取得了一定进展。 2．1徽孔列阵的形成 ReactiveIon 他们选用了磁控反应离子刻蚀(MRIE即MagnertonEtching)和电子 Resonate 回旋共振刻蚀(ECRE--ElectroCyclotron Etching)等系统，利用si02和金属 (镍或镍铬)掩膜蕊挈，应用直接工艺做出了孔径为2岬，中心距为4“m长径比为20的徽 孔列阵和方孔边长41m、中心距为61．1m、深度为55灿的微通道列阵(图2)；利用牺牲模 板工艺，作出了长径比为30的微孔列阵(牺 牲硅基体，由SiN。形成列阵基体)。但是这些 系统，其刻蚀速率低(在0．2—o．39．m／min范围 内)，选择比也低。 我们与北京大学协作，选用他们引进的英 国袭商技术系统(研s—SurfaceTechnolegy Systcms)公司最新产品多路感应耦合等离子体 (Mul tiPlex—ICP即№ltip|exInducgivelY Coupledplasma)刻蚀系统，其刻蚀遽率可达 I．5—2肿／min．选择比；对胶75，对Si02150， 图2 Galieo公嗣干刻蚀方孔列阵 各项异性特性优异．垂直偏角±o．250。用该系 统进行过多次实验，取得一定进展。 2．2连续打拿极的形成 九}年代初期，G．W．Tasker等人利用LPCVD和敏化方法在通道内壁上形成了连续打拿 二次发射系数5对应～个最佳氧化层厚度，且优予还原铅硅酸盐玻璃的6值。 国内这方面的工作在初步探索。 3工艺设计 3．1材料选挥 础选用介质或半导体，有很大灵活性，我们选择单晶(100)硅材料，处理后表面光 洁，无竞筝病。 3．2工艺设计 (1)照相制版：根据使用要求将一定孔径、形状釉几何形他的微孔列阵制成光刻版 (2)用光刘方法在精加工si表面上制作硬刻蚀面罩： (3)用各向异性干法刻蚀方法在Si基体上彤成微孔列阵； (4)垌低压化学气相沉积(LFlcV／))与敏化技术形成连续打拿极。 (5)电极蒸镀。 备工艺进行都