水冷不锈钢型大功率微波化学气相沉积全透明金刚石薄膜的研究.pdfVIP

水冷不锈钢型大功率微波化学气相沉积 全透明金刚石薄膜研究 汪建华(武汉化工学院材料工程系，430073) 邬钦崇(中科院等离子体物理研究所，23003l，合肥) 周键，袁润节(武汉工业大学，430072) 摘要：不又报谨■用无线耦台水冷不锈铡型MPCVD装置成功刮备出大功率(3KW．4KW) 连鳝运{。一成功制各出全运明金剐石薄膜，其最大面权可选由76 5tnnl。经喇曼 光谱t强搀电镜rx劓线衍射，红外光谱测试，表明得到的是高纯度的金刚石薄 膜。 关键词：金刚石薄膜．水玲不锈钢型MPCVD 金月0石是地球上最宝贯的周悉物质之 。在所有天然及音成材}{中，金刚 石具有最，葛的堙爱和热导末，最琵Ej光学透过范围和频率啊应范围。由于金剐 石膜在高温半导体热导率，高保真扬声器、激光窗口、超硬涂层等方面潜在的 应用前景，引起世界各国高度重视。 低压化学气相沉积金刚溥腹技术在80年代初最先由日本无机材料研究所 取得重犬突破以来，经过近二十年的发展．已成功地发展了多种金刚石薄膜CVD 合成技术。 目前用热丝cVD法、化学辅运法、微波等离子体CVD法、高频辉光放电 等离子体法．离子束法、以及直流、射频热等离子体高速合成金刚石薄膜的方 法和火焰法等合成出较好的金刚石薄腚。微波等离子体辅助化学气相沉积 (Ml’CVD)法是捌各高质量金刚石薄膜的一种重要的有效方法，而高功率高气 压大面积MPCVD金刚石薄膜更是当今金刚石薄膜研究领域的主要方向之一。 目前花国内实骑室中使用虽多的仍足表面波耦台石英管式装置，这种装置由于 受刘微波恃输的越止波长的限制，{i英玻璃放电管的直径一般不超过审50mm， 一183— 因此，沉积金刚石膜的直径一般小于审30ram，由于受到微波耦合方式和石英玻 璃管壁耐温的限制，放电腔内等离子体分布不均匀。并且微波入射功率一般≤40 托，等离子体的密度，不可能很高。这直接限制了金刚石薄膜的大面积，高质 量段高速率的制备。近年来国外己研制成功大功率的MPCVD金刚石膜装置， 并报道了有关结桑，中国科学院等离子体物理所为武汉工业大学成功的研制了 一台大功翠天线褐合水冷不锈钢型MPCVD装置，于1998年底投入馒用。其性 能指标达到国外同类型装置，其价格仅为国外同类产品的l／10。 渡装置由微波系统、等离子体反应腔、真空配气系统及自动保护系统组成。 由2．45GHz5KW的微波功率源，环形器及水负载，定向耦台嚣。入、反射功 率取样器及显示仪表，三螺钉调配器以及TE．。一TMo。模式转换器组成微波系统。 等离子体反应腔室瞄内径巾140mm的带有石英微波输入窗口，和4个观察窗的 水玲不锈钢腔体，水冷却基片台、带观察窗口的矩形80mmx 37ram的基片装 卸摇门等组成，其中基片台可电动控制自动升降并可旋转。由分子泵、机械象、 流导调节阔真空计和三路气体流量控制器等组成真空气系统。该装置中微波模 式转换器是关键。当反应腔通入H!和CI-k在一定的气压范围与微波输入功率条 件下，在基片台上方形成轴对称的椭球状等离子体，等离子体球的半径随微波 入割功率的增大而增丈，随气压的升高而减小，调节气压，微波功率，耦台天 线的长度，基片台的位萱等．可以形成与器壁不接触而只与基片相接触的有一 定大小的等离子体球，从而实现金刚石膜的沉积。 应用该装置，已成功的在硅衬底实现了中765ram大面积金刚石薄膜的制 籀。jjJl装置司在大功率(3KW～4KW)的微波输入条件下，长时间的稳定运 行，已制备出中50mm的全透明的金刚石薄膜和Si、N．涂层刀具。样品经SEM，xRD， 喇竖敞尊j谱，红外光谱仪测试袤Ⅲj，得到是高质量的金剐石薄膜。该装置相信 通过不断的设备调整和工艺完善，将食制餐出更高质量的金刚石薄膜。 一164—