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硅单片线性放大电路EMP响应特性研究 信息产业部电子十三所 李继国 刘庆祥 摘要 ，， 研究硅模捌集成电路中的单片线性放丈屯路E肝响应的测试夹具段测试方法一在此基础上利 用方波脉冲注入法研究硅线性放大电路处于非工作状态下的E肝损伤阏值以及在正常工作 状态下．醯庐作用时出现干扰、阻塞和损伤的阐值。 关键词：硅单片线性放大电路咖，响应损伤阏值干扰阻塞 1、硅单片线性放大电路简介 硅单片线性放大电路为二级双极晶体管达林顿组合的电路，其典型的电路如图1 f．．一一． 所示．该放大电路可在宽频带范围内对信号进行放大，放大信号频率的低端一般受外 电路元件参数限制，面放大信号频率的商端则主要由双扳晶体管的频率特性来决定· 为了尽可能地提高电路的放大带宽，电路中采用截止频率尽可能高的微波双极晶体管， ． 电路中的电阻采用扩散技术制做，与微波双极晶体管制做在同一个硅fi-上，形成硅单 片线性放大电路。 ，，， 圈l硅单片线性放大电路的典型电路圈 本试验中选取的硅单片线性放大电路为我所研制生产的XN421型、Y,N481型和 XN491型三种电路。它们的电参数指标在表1中给出。 一．．屯、纛 电路型号 一IdB压缩点输出功率p-l(dBm) 工作频带(州z)功串增益Gp(dB) XN491 30～500 ≥17 22 XN42I ：}0～500 芑15 27 XN48l 20～200 ≥17 ≥31 487 李继国’《庆弹：硅单JL线性放大电路EMP响应特性研究 2、硅单片线性放大电路EMP晌应规律的测试夹具 对于非工作状态下单片线性放大电路EMP损伤阈值的测试，可以类似双极晶体管 直接在其输入端施加反向方波脉冲，不需要专门的测试夹具。对于正常工作状态下单 片线性放大电路EMP响应的设4试则需要专门的测试夹具。其测试夹具应能满足以下要 求： a． 测试夹具可以使单片线性放大电路处于正常放大工作状态： b． 引入EMP的支路对电路放大状态不产生较明显的影响； c． 引入EMP的支路对EMP波形不产生明显的影响： d． 便于观察和记录单片线性放大电路对EMP的响应特性； 经研究制作，实际用于试验的测试夹具框图如图2所示． 反向方波脉冲输入端④@ 即即k 螂l耋叫 昏∞”bM 图2单片线性放大电路跚，响应的测试袅具框图 由于硅单片线性放大电路的输入输出特性阻抗基本为50n，为使其正常工 作，采用50f1微带线(即从输入到被测样品和从被测样品到输出之同的线路) 作为主放大通路，c，、C。为隔直及RF耦台电容．为了不影响主放大通路，EMP 支路选用高阻抗，其中①为输入端加反向脉冲端口，②为输出端加反向脉冲端口，Ll、 k为扼流电感。抑制盯信号的泄漏，c。、已为反向脉冲耦合电容，v0为硅单片电路 工作电压。反向方波脉冲的幅度在o、②端口监测，处于正常工作状态下的硅单片电 路EMP响应特性在RF输出端口监测，监测仪器均用数字存储记忆示波