薄栅氧损伤机理研究.pdfVIP

201 中国三亚 1年11月 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 薄栅氧损伤机理研究 田建，毕津顺，罗家俊 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：随着器件特征尺寸的不断缩小，栅氧化层的厚度也随之不断减小，薄栅介质的可靠性成 为研究的重点之一．综述了薄栅氧器件的击穿机理、物理模型和栅氧寿命的数学模型。 关键词：栅氧化层；可靠性；击穿 1 引言 随着器件尺寸向深亚微米进展，MOS器件栅氧化层的厚度在不断减小，而其工作电压不能同时按比例 下降，工作场强逐步增加，使得栅氧击穿日益成为MOS．IC中一个主要的可靠性问题，并制约着器件尺寸 的进一步缩小，因此受到广泛关注。在良好工艺条件下热生长的栅氧化层，在施加远低于其本征击穿的场 强下，工作一定时间后，仍然会发生击穿失效，即所谓与时间有关的介质击穿(TDDB)。这是由于在高场作 电子．空穴对，并不断产生新的体内陷阱及界面态，氧化层内电荷及陷阱的积累最终导致击穿【l】。国内外对 薄Si02的高场电导及击穿现象进行了广泛的研究，并在此基础上提出了栅氧击穿的有关物理模型，不过大 部分模型还不能对不同工作条件下的栅氧寿命进行准确的预计。 近年来，为了得到体积越来越小、性能越来越好的j卷片，在超大规模半导体集成电路制造过程当中， 栅氧化层形成后的一系列辐射工艺会给栅介质带来严重损伤，如电子束光刻技术、X．Ray光刻技术、反应 离子刻蚀和各种等离子工艺步骤。这些工艺过程中因为涉及到高能量粒子，同样会对半导体器件或者电路 造成辐照损伤，严重的甚至可能会使这些器件或者电路在制备过程中就已经失效【2】。而对于空间领域应用 的电路来说，空间辐射环境中来自地球辐射带(地磁捕获粒子)、太阳和银河宇宙线(瞬态粒子)及次级簇射粒 子(宇宙线与地球大气层作用产生)的高能射线粒子，如质子、电子、啦子和重离子等，都对空间工作的卫 星、航天器造成威胁。对于空问运行十年以上的卫星来说，总剂量辐射效应及单粒子辐射效应是导致卫星 失效的主要原因。为避免制造过程中造成的辐照损伤，迫切需要对超薄栅介质的辐照特性进行深入研究。 多年来，国际上在辐射损伤机制、抗辐照加固技术和模拟辐照效应的实验方法等方面的研究均取得了重大 进展，并且将这些研究成果应用于航天技术以及核技术的电子系统中，从而大大提高了系统的可靠性、延 长了使用寿命。 2辐照效应 2．1单粒子效应 当一个高能粒子轰击到器件上时，由于粒子能量较高，入射过程中会产生大量的电荷和强烈的电离。 在很小的空间内产生密集的空间电荷区，引起单粒子效应。它对CMOS器件会产生单粒子闩锁，对存储器 件和逻辑器件会产生单粒子翻转，严重的甚至还会出现单粒子永久损伤。通常把高能粒子使半导体器件产 生的逻辑错误称为软错误，它是随机地、非循环地产生单个位或几个位的错误，这种错误不会使逻辑电路 损坏，它还可以重新写入另外一个状态；把单个高能粒子引起半导体器件永久性的损伤称为硬错误【3】。当 高能粒子入射到一个反偏的P-N结耗尽区及下面的体硅区时，位于粒子运行轨迹周围的原子被电离(产生电 子．空穴对1，这种轨迹的存在使其径迹附近的P-N结耗尽层发生短时塌陷，同时耗尽层电场的等位面发生 变形，耗尽层变形[xI称为“漏斗”效应。电位面的“漏斗”将产生强电场，沿着轨迹附近的电子．空穴对受电场 作用被分离【4】。随着超大规模集成电路的特征尺寸的减小，单粒子效应对CMOS集成电路造成的危害越来 越大。SOI工艺采用全介质隔离结构，使得采用这种工艺的器件对单粒子效应有很强的抵抗作用。 ．249． 田建等：薄栅氧损伤机理研究 图1单粒子效应示意图 2．2总剂量效应 总剂量效应会引起器件阈值电压漂移、栅泄漏电流增大、载流子迁移率下降、跨导与驱动电流下降、 栅介质退化[51。 辐照后，在栅氧化层中形成氧化层陷阱电荷。氧化层陷阱电荷带正电，会引起器件的阈值电压负向漂 移。对于PMOSFET而言，界面陷阱电荷表现为施主态，俘获空穴后带正电，与氧化层陷阱电荷引起的阈 值电压漂移相加，