MeV能量重离子辐照GaN高分辨XRD与研究.pdfVIP

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2015-07-31 发布于安徽
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第十六_全豳化合物半导-俸、饿霸：嚣件和光电肆件掌术套议蕾r安’lO 投稿分类号：EIO MeV能量的重离子辐照GaN白CJ高分辨XRD研究· 贾秀军 D2”张崇宏D张丽卿D杨义涛D2’张勇D2’韩录会D2’徐超亮D2’ 张利民 I)(中国科学院近代物理研究所．兰州730000) 2)(中国科学院研究生院，北京100049) 2．3MeV 摘要：我f『J分别开展r 2啊，+离子和5．0№v“I【r”+离子辐照GaN样品的实验，并对实验样品进行了高分辨XRD的分析。我 1fJ发现，随着这两种高子辐照荆母的增大，GaN岛分辨XRD谱(0001)衍射峰的峰化}H现了向小角侧的有规律的移动，并在较高剂鼍时衍射峰发生分裂。本文对衍射峰的峰位的移动、峰形的变化这些现象反映的辐照损伤机制进行了研究，并探讨了电子能损与核能损各自在品格损伤中的作用。关键词：氮化镓，高分辨XRD．辐照损伤中l墨1分类弓：文献标识码：文章编号： HRXRDofGaNIrradiatedwithMeV ions Study heavy XiujunJial弦”，ChonghongZhan91),LiqingZhan91),YitaoYan91’2、，YongZhallgD2),LuhuiHartl、2、， ChaoliangXum),LiminZh锄91) i)(1nstttute ofModemPhyswa，ChineseAcademyofwnce，Lanzhou．730000,China) 2)(Graduate UntversttyofChineseAcademyofScience·Begmg．100049．China) of waft theirradiated Abstract：Irradiation 2．3Mcv20Nj”and galliumnitride(Ga№with 5．OMev斟艮”mgpcctivelyperformed．and wcrc with diffraction is foundthatthediffractionof samplesinvestigatedhigh-resolutionX-ray ffIRXRD)．It peakGaN(0001)exhibits tothesmallerdiffractionwiththe ofirradiationdoseforbo出thetwokindsofions，andthediffraction regularshifting angle increasing intoafcw at dose．m mechanismsrisetotheob∞rved andthe peaksplit peakshi曲髓irradiationunderlyingdamage gi,-，ing shifting split ofthediffractionandthecontributionof lOSSandnuclear losstothe oftheirradiatedGaNWOfC peak ioaizingenergy onergy damage discussed． Keywords：GaN．HRⅪ国．irradiatingdamage ’国家自然科学基金委员会大科学装置联合基金项目(基金委批准号资助。