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c—BN薄膜沉积中的相转换 赵永年“2邹广田1何志1朱品文1赵冰2 (吉林大学1超硬材料国家重点实验室，。超分子结构与谱学开放实验室，长春，130023) 摘要本文结合实验结果提出一个c—BN薄膜沉 的，IRS660V红外光谱仪用于测量制备薄膜的红外 积过程中相转变模型，解释了c-BN成核，即从h-BN光谱以区别薄膜的BN结构。 (r—BN)向c—BN的相转变。 关键词c—BN薄膜相转变成核 1引言 立方氮化硼(e-BN)和金剐石一样是集许多优异 性能于一身的多功能材料，如超群的高硬度，高热导， 高电阻，抗高温氧化性，非常好的化学稳定性，全光谱 波段的透过性等等。由于它与铁不发生化学反应，又 是既可rl型掺杂也可P型掺杂的宽禁带半导体材料， 所以在机械加工和电子学两大方面的应用都优于金 刚石(能与铁反应，只能P型掺杂)。c—BN薄膜更能充 分发挥它自身的优异性能。因此近二十年来各国科学 Wavenumber 家投入许多热情用各种物理气相沉积(PVD)和化学 em。1) 图1在不同基底负偏压条件下制备的c—BN薄膜的 气相沉积(CVD)方法研究pBN薄膜的合成D]。事实 红外光谱 表明c—BN薄膜的合成是比较困难的，说明c—BN的 1 1R ofc—BNfilms different Fig spectra preparedby 生长条件十分苛刻，这也可能是自然界里没有发现c— bias BN的原因。 3实验结果 到目前为止，c-BN薄膜研究存在三个主要问题。 从图中可见，当基底负偏压在一100V时制备的 1)薄膜内应力较大，附着力较差。2)薄膜中c—BN的 生长总是伴随六角氮化硼(h—BN)的出现，纯度受到 峰，它们分别是面内B—N拉伸振动和面外B—N—B弯 影响。3)c-BN薄膜的生长机理不清楚。比较流行的理 曲振动，恰是sp2成键的BN的特征吸收，这表明得到 论模型有四个．a)压应力模型“1．b)选择溅射模型“]， 的薄膜是纯的sp2BN相。当负偏压是一160V，光谱中 c)动贵转换模型Ⅲ·d)Suplaatation模型Ⅱ]。这些模型 除上述两吸收峰外，又增加了一个1085era叫吸收峰， 从不同角度对c—BN沉积中的某些问题给出了解释， 这是s矿成键(c—BN)的TO振动模。表明薄膜是c— 但并没有给出较全面的本质的解释。 本工作结合我们的实验结果提出了相转变模型， 中只有单峰1105cm一，表明薄膜是纯的c—BN相。上 对于c—BN的成核给出了比较合理的解释。 述结果说明，基底负偏压引起的离子对基底的轰击在 2实验 c—BN相薄膜沉积中起到重要的作用，c—BN特征峰从 薄膜中内应力的增大。离子轰击在c—BN薄膜中起重 本工作用射频(RF)磁控放电装鬣沉积c—BN薄 膜，用纯度为99．8％的h—BN制成直径为105ram的要作用-同时也给c—BN薄膜带来大的内应力，这已 圆盘作为靶材，真空室预抽真空度为2×10川Pa。充是在此领域研究中公认的事实． 纯