第四章半导体的导电性课后习题.pdfVIP

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2015-07-31 发布于重庆
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第四章半导体的导电性课后习题.pdf

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Solution of Chapter 5 Nuo Liu, Jian Gang Ni, Cai Geng Tu School of Microelectronic and Solid State Electronics Department of Microelectronic Science and Technology UESTC Nuo Liu,Jian Gang Ni,Cai Geng Tu 1300KGe470 Ω⋅cm 3900 cm2 /(V ⋅s) 1900 cm2 /(V ⋅s) Ge 1 1 ρ σ n q(µ +µ ) i n p 1 1 n i −19 ρ µ µ q( n + p ) 47 ×1.602×10 (3900 +1900) 13 −3 2.29 =×10 cm Nuo Liu,Jian Gang Ni,Cai Geng Tu 2Si 1350cm2 /(V ⋅s)500 cm2 /(V ⋅s) AsSi σ n q(µ =+µ ) 1.5=×1010 ×1.602×1019 ×(1350 +500) i i n p 4.44 =×106 S / cm Q 5 ×1022 / cm3 22 −6 16 −3 ∴ =× × =× 5 10 10 5 10 cm 16 −3 ∴n 5×10 cm n ? p 12 − µ =× 4 14 9.5 10 n 16 19 12 ∴σ µ × × × × × nq n 5 10 1.602 10 9.5 10 7.6S / cm σ 7.6 6 6 1.71 10 σ 1.71 10 σ ∴ 6 × =× i σ 4.44 ×10 Nuo Liu,Jian Gang Ni,Cai Geng i Tu 310 Ω⋅cmpSi ρ 10=Ω⋅cm 4 −15N A