掺铜CdS(Se)薄膜的相结构与氧化性能.pdfVIP

薄膜退火后，由于缺陷减少，应力减小，所以薄膜的电阻率减小。图7是薄膜中co含 量为30％时的p．△p，GMR与退火温度的关系曲线。从图中可看出，随着退火温度的升高， 薄膜的△p和GMR先是增加，而后减小，存在一最佳退火温度。实验还发现，当co含量很 高时，随着薄膜退火温度的升高，薄膜磁电阻效应明显减小。 由△p与退火温度变化关系中，△p存在一最大值，_以及退火后薄膜的晶粒尺寸长大，我 ff J可以得出，在一定条竹下，存在～是佳颗粒尺寸，薄膜具有最大磁电阻率和磁电阻效应系 数。这些结果很好地验证了ZhangShufeng的电子自旋相关散射理论。 参考文献 J S·XiaoJ c and 113silver PhvsLett Jiea39 Q．ChienL，Magneticpropemesgiantmagneto一(eSlstanceofgranulaxpermalloyAppl 1992：6l：2362_2364 2SteamM YD．Detemznatton componentsofmagneuzatmnandmagneto，roe[st．alW．Ieofgranular B·Cheng ofpara—and侥rromagneuc films(iavikd)JAppiPhys)994：756895—6899 Co／Ag 3 SF-LevyP J 1993：735315～5319 Zhang M，Conductivityandtnagnctoreslstance【nmagneticgmu‰filmsApplPhys 掺铜CdS(Se)薄膜的相结构和氧化性能+ 郑毓峰马忠权赵彦明李冬来 新疆大学物理系830046电话：2862753．2616 的变化对镉，硫原于结构和电子态的影响。指出过剩镉的氧化而形成的非化学配比的CdS(Se)膜是影响薄 膜光电性能和老化的主要腻因。 关键词CdS(se)薄膜表面氧{￡光电导陛能 定性是人们关注的问题。暴露于空气中的光敏膜表面易受吸附气体的影响，由于环境的温度、 湿度以及膜本身的组份霸j结构特征不同，使得膜表面吸附气体对其表面态电荷分布的影响呈 膜的氧气化学吸附及随后的扩散效应，他把薄膜在空气中的暴露时间与耗尽深度联系起来， 很好地解释了吸收效应。我们曾讨论了㈣薄膜在不同退火气氛下的电导率，迁移率和载流子 浓度随退火温度的变化规律。本文用喷涂烧结法制备了CdS(Se)薄膜．之后在空气中长期放 量的变化以及镉与硫化学配比的变化对电导性能的影响。 1 实验方法 掺杂和微量CdCl，作为助熔剂，研磨均匀，加丙二醇搅拌后喷涂在陶瓷基片上，120℃恒温 对样品不同温度等时退火，并分别对退火前后的样品进行测量。当地气温变化从一25℃～ ，舀家自然科学基金资助课题，N5946200 229 型俄歇电子能谱仪上进行，XPS数据是在PHI-5300型光电子能谱仪上收集的。 2结果和讨论 一些明显变化，主相均为六方钎锌矿结构，但在退火前的样品中有CdO相存在，退火后C∞(111) 取向变弱。此外，样品中硒，铜成份，由于含量太少，在XRD谱中难以确认。图2是退火前 样品的AES剖析图，证实了上述元素的存在，表明在垂直膜面不同深度的层面铜，镉，硒， 硫和氧的分布情况。由图可见氧已扩散到表面以下超过80纳米，表层约40纳米厚的范围内氧 谱中没有出现Cl，成份，估计是由于在烧结过程中，cI：已逃逸薄膜表面。 々 3 ■ o 缸 楚