超导薄膜的磁场穿透深度的测量.pdfVIP

●第州脑个』日超导，尊j礁‘，超甘屯f学器件学术会议i仑上班· 超导薄膜的磁场穿透深度的测量 王瑞峰，赵士平，陈赓华，桂寰，徐风枝，杨乾声 中陶科学院物理研究所．凝聚态物理中心．北京100080 摘要：我们设；fffI叫宄J。Ⅲj+测鞋超导洒脱穿透深『童∞艰线圈}L感装置，用数值jf=f!拟疗，J 方法剥线圈及其位形进行r优化．副磁丰亭溅射制冬的4：同厚度的铌膜在小同温度r的测 白}结果表明，我们的泣“人人提高丁实验的准确性和话定性，，f榭到，理论预期的随睽 厚和温度的变化关系． 嫩场穿透深度是超旨体的基本参数，它反峡m超导体的许多基本性质，掇此始终；jl 起人们的，“泛注意。已经囱I很多测试穿透深度的方法，例如小样品的磁化率的测。跫、微波 法、r{，f敞射法等1。八t‘年代，Fiory提m厂。‘个}分简单的测量方法一红感法二，即 将超皆薄膜插入两个』k轴排列的四搬线圈之nU，两个线闰的旺感系数的变化能反映超导薄 膜的磁场穿透深度的变化。具体地说，如果超导体满足London方程，则H感系数M和 磁场穿透深度五的关系为1： Me №=雨忑焉顶邶， L2J M 、Z』 闪此p反映r基片以外的漏磁及引线问的耦合箐。通常情况F，分坶中的笫j项远人r第 ‘项，W此L式呵简化为： M=a冬+p ds^ 其【}J 13．足‘个)LfqlN r。已绝自-很多作青』fj这种测垣方法测量-广超导薄膜的穿透深度 “4。这种测量方法适片i’i：膜厚小于穿透深度的薄膜，用其测量穿透深度随温度的变化准确 呵铝，且对样品足水破坏性的。似研究表明．这种疗法对同一样，锗的／i；同次测量，其孵复 性f{：fi：小够好“。其原W魁样·铺的放置存在微小f{{J0i确定性，从而导敛本底B的改变3。 奉义时这种测!连方法做进‘步的研究。我们将通过‘个实际的测量装氍，JlJ数值模拟的办 法，及时不同厚度的A流磁控溅射铌膜在不同温度F的测魁，米探讨各种实验参数对测最 结果的影响。 二、测量原理和数值模拟 我们的实验装簧’-Jl?ioryf衍川的装冒槲似 如吲1所示。同轴放胃个驱动线圈用】· 个接收线幽，薄膜f#．铺放n!两个线圈之|‘Hj．j驰动线吲j：通过‘个角频率为03的变变电 !堕些竺!望量!!坠塑垡些!堡姿堕竺型塾—— 流j。时，枉其阁嘲将，。生‘个交变磁场，由于迈斯纳抗磁性，超导薄膜l：将产生解蔽I乜 流，并H薄膜的丑的不同将商接导致接收线圈信号电压V，的变化。按定义，系统的互感 系数为： M：旦 (2) Idm a同相的V，信号 这I里我们感兴趣的V，信号与I。信譬榭位差“／2，Ⅱ口为纯1乜感倍‘，。与J 反映一定的电阻祸合，在一般情况F可以忽略不计。埘此通过、‘。的测熊，可f|』(1)和(2) 来确定五。 图【 实验裟置示意图 实阳i0、啕c{J样；镐的人小是有限的尺、n故驱动线圈产!I-il；i衍}j原|J{lj{：也自部分绕过 样品而到达接收线劂。这将影响(】)式I{】的8项。P,hl￡)YJ’提离测量的准确度，首先 罂埔加样晶的丽积和减小线圈的大小。并目．研究表明，采用四极线嘲州有效地将磁场控制 彳E线圈直径范围的尺度上，从而大大降低J，样·；^边缘的影响。为了说删这‘。点，jU假设自f 蔽电流的大小mLondon方程决定 jliI。，一寿‰∥{)／c‘ (3) ·1 其一{I ‰(r)哦一(r)+鲁p筒 (4) 』CffJ，’为超