催化剂对稻壳β-SiCw质量的影响.pdfVIP

催化剂对稻壳B—siCw质量的影响 管英富 攀枝花钢铁研究院四JIl攀技花617000 郭梦熊 中国矿业大学北京研究生都北京100083 摘要：本文研究了用不同催化剂合成的8一sicw的显微形貌特征、晶型特点以及杂质含量等 质量指标，发现硼钴系列催化剂、硼镍系列催化剂与硼系催化剂相比较，所合成的0一SiCw 光洁度高，以完整B单晶品须为主，杂质含量和国外同类产品相近，适合用于合成0一SiCw． 关键词：B—SiCw；催化剂；显微形貌；完整单晶 1．引言 COIlcarbide B—SiCw(Sili whisker)直径在0．2～1．5u之间，长度在lO～40u之间， 是一种低密度、高熔点、高强度、高硬度、低热膨胀系数、化学稳定性好的单晶微晶材料， 宏观呈粉末状，广泛应用于增强增韧金属基、陶瓷基复合材料。用B-SiCw增韧高技术陶瓷， 如刚玉、氮化硅、人造金刚石等的研究表明【l～1，13一SiCw显著改善了高技术陶瓷的力学性 能，使其拉伸强度提高80％以上．断裂韧性提高1～1．5倍，模量提高50％以上。大家一致认 为，高技术陶瓷对B—SiCw的共同要求是：完整单晶含量高，晶体缺陷少，弯晶和a+B复 晶含量低，晶须直晶率高，光洁度好，显微尺寸分布均匀。 虽然B—SiCw作为高性能增强增韧材料已显示了良好的发展前景，目前已经成功地应用 于切削刀具、高温喷嘴、耐磨耐热部件、高温罩体等工件上．而且世界市场对0一SiCw的需 求正稳步增加。但由于其价格高，可供量有限，并受到复合材料发展的影响，当前还只能应 用到较小的范围内，大规模的商业化生产还远未实现。因此，为了提高B—SiCw产量，降低 生产成本，稳定晶须质量，继续进行合成B SiCw的工艺、机理、生产工业化以及在增强增 韧复合材料的力学原理等方面的研究，具有可观的经济价值和社会价值。 国产0一SiCw应用于高技术陶瓷已取得了一定的成功，经清华、哈工大、合肥工大、华 中理工大、海德曼、山德威克等单位使用，所制得的陶瓷部件已经达到美国Greenleaf、德 国Herte]、日本达依几特等公司同类产品的质量水平。． 比较，具有原料单一，晶须产率高，完整单晶含量商，晶须显微形貌规则等优点。在晶须生 长过程中，催化剂对晶须的显微形貌、晶型等质量指标有重要的影响‘…。本文研究以稻壳为 原料，不同催化剂对合成的B～SiCw质量的影响。 2．合成工艺参数 实验在专门设计的气氛烧结炉中进行，烧结炉的主要参数为：功率1200KVA，炉膛尺寸 0300X 300，额定温度2000C，升温速度可实现自动调节。 oo 料的氩气流量为0．5～0．7Nma／(h·kg)。 3．不同催化剂合成的Sicw质量分析 在其它参数相对固定的条件下，改变催化剂的种类合成了三种SiCw初产品，经过分离 长径比，利用x射线衍射仪测定SiCw的晶型”】，利用等离子光亮计测定SiCw的杂质含量， 实验结果如下。这里，晶须形貌特点(如光洁度，直晶率等)是多种碳化硅晶须相比较而言 的。 3．1硼系催化剂合成的siow的质量特点 用硼系催化剂合成SiCw时．晶须产率较高。其精品的TEM照片如图3．1。 图3．1硼系催化剂合成的SiCw的TEM照片(4800×) 表3．1 硼系催化剂合成的SiCw的显微形貌特点 产率％ 直径分布u 长度u 光洁度I弯晶I竹节I节瘤I 30 0．2～1．O 10～30 较差 少 多 多 从硼系催化剂合成SiCw的透射电镜照片看，SiCw以直晶须为主，弯晶较少．晶须表面 起伏较大，光洁晶须含量极少．晶须以竹节状为主，并含有一定量的节瘤状晶须，可见硼系 催化剂合成SiCw的显微形貌较差。 要晶型结构．并有大量的位错、层错、孪晶等晶体缺陷存在，完整B单晶含量少。可见，要 提高sic晶须的完整0单晶含量，必须使用新型催化剂。 O 3 2复