单晶连铸过程初始阶段引晶速率研究.pdfVIP

单晶连铸过程初始阶段引晶速率的研究 彭立明温宏权毛协民徐匡迪 (k-海大学材料科学与工程学院，上海，200072) 摘要经验表明，在0C．C法单晶连铸过程初始 Vw 0 阶段，引晶杆的牵引速率是一个速步加速的过程。本 文从理论上初步探讨了引晶杆牵引速度的变化规律， 推导出了一组比较通用的引晶速率曲线；实验验证采 用计算所得的速率曲线进行牵引，可以保证单晶连铸 初始阶段的稳定过渡，获得优质单晶线材。 关键词0．C．C法单晶连铸引晶速率稳态生 长 1引言 单晶铜线材是在电子、通讯、音响器材领域有着 重要用途的新型材料o]。0．C．C法是金属单晶连续 制备的～种工艺方法。在0．C．c法的初始阶段经常 容易产生金属液池漏(水平连铸)，或者铸坯冻结在结 晶器内，或者铸坯在结晶器外拉断(上引连铸)的现 2 象。快速地通过引晶及选晶初始阶段(非稳态生长阶 段)，进入单晶稳态生长阶段是解决这些工艺难点，获 得高质量、低成本的单晶型材的必要条件。实验表明， 在0．C．C法单晶连铸过程的初始阶段中，引晶杆的 牵引速度即引晶速率应是一个逐步加速直至稳定的 图1结晶器及凝固过程示意图 I TheschemeofSCCCandsolidification 过程。但其加速曲线的制定均是凭经验进行的，具有 Fig 较大的盲目性和重复性。本文从理论推导出了初始阶 1．结晶嚣2．熔体3．S／L界面 段引晶杆牵引速率的公式，并以此指导实验获得较好 4．s／s界面5．冷却水6．引晶杆 rS／L：k,lEl一^LGL—BL，J(1) 的效果；讨论了该公式的适用性。 2初始阶段的凝固传热模型 上引OCC法单晶连铸的结晶器及凝固过程示意 l k岛=等一警㈨ 图如图1。在抽拉开始时，由于室温的引晶杆与熔融 k咖k小h——分别为铸坯，引晶杆和金属液的 金属液在引晶杆端面接触、冷却至凝固，形成一个固／ 导热系数； 固面，必然存在一个界面热阻，记为Rs。在引晶进行 G—Gz，G。分别为铸坯、引晶杆和金属液的温 过程中，对引晶杆保持喷水冷却以使晶体生长能稳定 度梯度； 进行，喷水冷却是引晶杆的主要传热方式，同时在结 “一铸坯的密度； 晶器外进行惰性气体保护，也有一定的导热作用，但 Lf～铸坯的凝固潜热； 这种导热作用较弱，可以忽略不计。鼠此在铸坯牵引 V T一晶体生长速度(S／L界面推进速度)； 凝固过程中固／液(S／L)界面及固／固(S／S)前沿温度 R。～固／圊界面热阻； 分布如图2所示。 T川T。：～分别为周／周界面上铸坯和引晶杆侧 因此，各界面上的热平衡方程式为啪： 温度。 并且，在本文中采用了以下基本假设： 410