单面单片微波集成电路MESFET混频器机助分析和设计.pdfVIP

单面单片散波集成电路MESFET混频器机助分析与设计· 石晶株 吴咏诗 (天津大学电子工程系，天津，300072) 摘要：拳史针对卫星直播电祝接收机茸端高频头中的混炳嚣进行分 斩与设计，建立丁一种通用性较好的GaAsMESFET非线性电路模型， 并路出了相应的参敷提取办法．用c++语言埔制了一套基于谐泣平衡法 的混频嚣分析与设计程序．应用程序分析7增益及噪声指标．蛄朱表明 这种方法筒单亮_l}{，它既适合舟于MEsFET混颤器分析，也适用于类似 的非线性MMIC分析． 关键饲：单面单片擞渡集成电路．混频器、谐波平衡法 一，引言 目前，馓披混频器在通信，航天和军事等领域的应用在不断扩大， 同时对馓渡程频船的粜成化的要求也日益迫切，随着GaAsFET器件性 能的不断提高、单片敞波集成电路技术的发展，GaAsFET在微波领域 的应用愈来愈广泛．为促进我国卫星及移动通信事业的发展，设计单面 单片赦渡集成电路MESFET提频嚣有壁太实用们值． 二．GaAs MESFET等效电路模塑 对单面单片馓泼巢成电路进行分析，必须要有精确而又较为筒单的 中模型基本相同，它可适用于2—18GHz． 圈1简化的MEsFET电路嫫型 C卿 其中，非线往元件：Cs；= 在饱和区时：I。：!!垡二堡!：!!：!垒! “6(％一吩) d，分别为栅拣，漏栋电压 O．b是与电压有关的系数，Vl，，V +Ⅲ家(I然科学丛盒项¨ i 一194— vT为门限电压，Vbi为栅级固有压降、^为与臻电导有蓉的系数、【d 为漏电流． 如已有ld的测试曲线，6和b可通过拟合获得．Id测试曲线【1J如图 0O 2，经拟合计算：B；0．05，b，一0．34．拟舍曲线如图3： 妒 羽 图2 圈j 其它元件为 线性元件，可由模型计算的3参数逼近测试值而得 到．由于上述模型的各参数是从器件材料物理特性和安验数据得出的， 较为准确，参数也易于提取或查找． 三，大信号一小信号法 为分析非线性电路的太信号特牲，采用谐波平衡法．把电路分为线 性和非线性两郧分(如图4所示)．它由两个电潍一个线性子网络，一 个非线性子网络构成．线性部分可用Y矩薄表示，源照抗和负载阻抗收 进线性网络．非线性都分中非线性元件用其fjv或Q，V特性描述．无论 在时域还悬频域上，连接端口上都应满足电压、电流榴量相等，对端口 电压、电_；j；(相量分别取快速付里叶变换，得到柏应的付氏级数。””。 b■1■—百f———————一 嗵性子舟雉 *=t∞干日略 图4 场效应管线性网络与非线性网络的划分 由图4可列出电流方程 ～195— fVl t Yt： = n¨一 2，●●，●J P．．．．．．，