勾型磁场控氧技术研究.pdfVIP

磕． 淖如芍孤 丁N?。￥·f2口～一 勾型磁场控氧技术的研究 方 锋 张果虎 吴志强 郝玉清 万关良 (北京有色金属研究总院圈家半导体材料工程研宛中心，北京ioooss) 摘要磁场应用在直拉硅单晶的生长系统上(MCZ)能有效地抑制硅熔体之 热对流。降低晶体中的氧含量。本文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上，制定 相应的拉晶工艺参敷，遮列控制晶体的氧含量和提高氧的径向分布均匀性的目的。 ●_-__一 1翦育 上配置叫00mm热场，拉制口,125mm单晶， 随着大规模集成电路(ⅥsI)和超大规采用磁场强度、埚转速随晶体长度变化工 模集成电路(小心)的不断发展，对直拉 艺，控制单晶的氧含量及提高氯的径向均匀 硅单晶的质量提出了更高的要求。在表征单 性。． 晶质量的众多参数中，氧含量及其均匀性是 2．2在装配勾形磁场的CG-6000型单晶炉 N 重要参数之一，在晶体生长过程中也是较难 上配置m400mm热场，分段拉制∞100mm 控制的参数之一。电路级单晶对氯含量的基 (．1ll高阻单晶，与CG-3000型单晶炉上配 本要求目标值±3ppma，氧的径向均匀性≤置@300ram热场所拉翻晶体成品率比较。 5％，采用常规CZ工艺是难以满足这个要 3实验墙暴硬讨论 求的。 3．I勾形磁场的特点 ∞年代初磁场即用于硅单晶生长 在坩埚边缘具有较高水平场强，从边缘 到中心场强逐渐降低。在晶体／熔硅界面处 (MCZ)[i】，并先后发展了横向磁场、纵向磁 场及勾形磁场。磁场具有抑钢热对流及减少 的磁场强度很小【2j。石英埚内表面附近的磁 氧、硼、铝等杂质更多地从石英坩埚中进入 场强度和石英埚表面垂直，减小了热对流对 熔体的作用。横向磁场(水平磁场)能有效 石英埚的冲刷．所以石英埚熔硅边界层变 地抑制热对流，获得氧含量低、径向均匀性 厚，熔蚀速度降低。坩埚边缘的熔硅处于强 好的晶体，但在大型单晶炉上配置水平磁场 磁场下，热对流的强度下降。 在结构上难于实现。纵向磁场(轴向磁场) 3．2氧的轴向均匀性的控制 可以抑制熔体径向热对流，但从埚底部到晶 在熔体上加磁场，则运动的导电熔体受 体／熔硅界面附近有氧的直接输运，对晶体 到的洛伦兹力为 中的氧含量难于控制。勾形磁场采用两组平 ，=e／cV×H (1) 行线圈流过相反的电流从而产生磁场方向相 式中e为熔体体元具有的电荷，V为体 对的两组磁场，在两组线圈的中间形成“勾 元的运动速度，日为磁场强度。由洛沦兹定律 形”分布的磁场，大型单晶炉加装勾形磁场 可知，在穿过磁力线运动的导电体内部，产生 设备较为简单。 和移动方向及磁场方向垂直的电流。此电流 2实验 和磁力线作用使导电体受到与移动方向相反 2．1在装配勾形磁场的CD6000型单晶炉的作用力，阻碍了熔体的热对流，增加了边界 · ·41 层厚度j所以从石英埚壁进入熔硅中的氧减 匀的熔体对流控制部分，提高晶体边缘部分 少。增加埚转不仅减薄