硅单晶生长工艺的发展动向.pdfVIP

TN3驴(IL，120．y3 硅单晶生长工艺的发展动向 袁永春 (峨眉半导体材料研究所，峨眉山614200) 擒要本文较为详尽地阐述了硅单晶生长的工艺方法争发展动向，并指出 C7_,-Si在半导体材料工业中所吴的重要地位，．MCZ法是一种太有前途的方法，在今 后一段较长的时期内MC压是将与N。11cI．Si并存。 l引膏 使用羹广泛的一种硅单晶生长方法。此工艺 除了大直径这一显而易见的趋向外，还朝向 1916年，Czoc幽为了测定各种金属 晶体的备种均匀性j如电阻率、氯和碳分布 的结晶速度首创cz法…。约在1950年，眩 法先后应用于锗和硅单晶的生长。当时，生 的均匀性簪方向发展。随着硅单晶直径的增 大，熔体中热对流的不稳定性有所加剧，控 长的硅单晶都有位错。直到1958年，，DASH 制起来更加饵难。+为使硅单最舶电阻率、氧 首创了无位错拉晶工艺，又称DASH法t2】， 大大地拓宽了硅、锗单晶的应用前景。由此 和碳的分布吏加均匀，壹近年来对商售直拉炉 可见。cz法虽然已有∞年的历史．但真正 作了许多改进，表现在拉晶过程中警追采用 用于半导体硅材料的生长却始于50年代。 计算机控制。多数大硅厂对直拉炉增设内控 1939年，贝尔实验室W．G．Pfarm研究装置．并把它作为专用技术。许多制造设备 成功了区域提纯锗的工艺。1952年，确啪的公司继续寻求提商生产率和减少人为因素 Theuerer发明了无坩埚悬浮区的各种方法，其结果是：自动化程度和可靠性 、的同事Henry 。 域(Fz)法，并将此法应用于硅的生长，大大提高。 各种器件对氧浓度均有不同的要求。例 于1962年获得专利权【引。1952—1954年， 如j删OS工艺对片子翘曲的要求比较严 Keck、C,olay]、E删甜5】等人对高频感应加 热悬浮区域的原理分别作了深入的研究。至 格，应采用氯含量(筠一32 ppm)的硅片为 50年代后半期以来，|z法在半导体硅材料好；CMOS工艺要求氯浓度介于27—33 ppm 工业中得到了广泛的应用。在硅单晶生长工 范围内；CCD器件采用低氧的(5—25ppm) 艺方面；除cZ和Fz法外，叉出现磁场直直拉硅片。作为本征吸除，应采用含氧量 32—37 拉法(Mcz)、中子嬗变掺杂l法(N1D)和 ppm的 ppm的片子，台氧量26—32 连续送液直拉法(cry-c_2)等。 片子亦可采用本征吸除，-但应增加非本征吸 除【6】。 ． 40多年来，cz法和Fz法已成为半导 体硅材料工业的两大支柱，其基本流程几乎 据IBM公司一位美籍华人说【7】：1)微 没有变化。