硅基GaN外延生长的界面分析.pdfVIP

2 Bengsoon Phys，1989。66：1231 S．EngstroraQ．JAppl 参考文献 3 R，Bean People J Phy．Lett，1985，47(2)：322 C．Appl —324 l詹娟．半导体杂志。1996，(4)：10 锣7护乙， 刊?p乒．120．j一≯ GaN外延生长的界面分析* 氢·城袁 张昊翔 叶志镇 赵炳辉 李先杭 卢焕明 汪 雷 王 宇 阙端麟 (浙江大学硅材料目家重点实验室，杭州310027) ’ 摘要本文报导了在硅基土用真空反应法生长出了G|N外延层，利用X射 Ij【衍射仅和技射屯镜对外廷晨争村底处的界面情况进行了研究分析；发现在界面处 存在着一屡GaN多晶过渡层，这层过菠层能够有效地缓解由两种材料晶格失矗引 起的应变。改善外廷晨的晶体质量．o同时初步建立了在甄村底上生长G矾的模型。 l引．青 的较为理想的衬底，因为它具有许多优点。 近年来，Ⅲ．v族氮化物宽蔡带半导体 比如高质量的单晶、大尺寸、低价格等优 由于在科学研究和实际应用方面的重要意义 点。但是，硅衬底与CaN的匹配方面存在 受到了很大的重视．成为当前半导体科学技 着以下问题，(1具有较大的晶格失配 术领域国际化的研究热点。G囊N材料由于具 (4t．16％)。(2)具有较大的热膨胀系数的 有直接带骧结构与宽带晾特性的电子性质， 失配(37％)。所以在硅片上直接生长CaN 使其成为蓝光发射豺料的自然候选者。但是 是比较困难的。在这种条件下，出现了 由于GaN在熔点时有极高的离解压，导致 Growth HGtIMS(HeteroepitaxyOn硒曲Mis- match GaN大尺寸单晶体生长极为困难，因此在异 SIlbsuate)技术【3J，其主要思想是在衬 质衬底上G矾的外延生长就成为研究CaN底材料和G州外延层之间插入一层缓冲层， 材料和器件|的主要手段。现在最常用的CaN它可以消除减少衬底与外延层在晶格与热膨 材料的翻备方法为金属有机物化学气相沉积 胀系数问的失配，在一定程度上吸收异质外 延层中材料高温生长时的应力，提高外延层 (MOCVD)和分子束外延(MBE)：利用这些 技术已经在a．她03衬底上翻备出了较好质 的晶体质量。对a．A1203衬底常选用A1N、 ZnO或CaN多晶作过滤层，对si衬底常选 量的GaN外延层。并已研制出CaN基蓝色 发光二极管【1I及激光器【2】。但由于a．她q用A1N、3C．SiC和6H-SiC作过渡层，利用这 单晶的尺寸较小，且价格较昂贵，为了制备 些技术，国内外许多研究人员用MOCVD、 MBE等方法均制备出了较好质量的GaN外 大面积的Ga／q薄膜，硅片被认为是制备GaN ·受目家敖蚕。垮世纪优秀人才。基金资助 ·158· 延层。以此思想为基础，本实验根据自己的 到了硅的富氢表面，即硅的悬挂键与氢相 实际情况，首次利用真空反应的方法，尝试 连。而外延生长是在1000℃左右的高温下 在硅衬底上先生长一层氮化镓多晶缓