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硅酸铝纤维原位碳热还原合成氮化铝纤维的研究+
傅仁利曲周和平a陈璐a汪雨荻·刘耀诚-
a.清华人学新刑陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084
b一中国矿业大学机电学院,徐州221008
摘要本文以硅酸铝纤维和碳黑为主要原料,采Siq碳热还原法成功地合成出了氮化铝似I№纤
维.对合成后的AIN纤维的相结构、成分及微观形貌分别进行了分析,并给出了硅酸铝纤
维原位碳热还原合成A1N纤维的简单物理模型.结果表明,通过碳热还原,硅酸铝纤维原
位转变为A1N纤雏,所获得的AIN纤维样品为单一的AIN相结构,微观形貌基本保持了原
料硅酸铝纤维的形貌特征.
关键词:纤维硅酸铝氮化铝碳热还原
1.引言
随着高速、高密度超大规模集成电路(VLSl)的应用,封装与基板材料的热导率K和介电
常数e对微电子电路的热量散失和信号处理速度影响越来越大。氮化铝(A矾)材料由于其高的
热导率、高的电阻率和低的热膨胀系数以及优异的抗熔融金属侵蚀的能力,因此被认为是高
密度封装用多层基板和大功率集成电路基板的理想材料¨】。传统的氧化铝陶瓷、玻璃陶瓷和
聚合物等封装与基板材料,虽然分别各有其高热导率K和低介电常数£的优势,但它们的综
合性能却比较差。为了弥补上述封装材料性能上的不足,近年来一些研究者12l开始考虑采用
具有商热导的陶瓷颗粒、纤维和晶须与低介电常数£的聚合物介电封装材料进行复合,来提
高基板与封装材料的热导率,增加其散热的能力,同时保持聚合物材料的低介电常数£的优
AIN晶须与聚合物和陶瓷封装材料进行复合,并较大幅度提高了聚合物和陶瓷封装材料的热
导率。
理论预测和实验研究均表明,高性能的陶瓷纤维/聚合物复合材料具有优异的综合性能
有望成为~类性能更为优异的介电封装材料。然而,应用这一技术的关键是如何大规模低成
须的制备与合成,许多研究者都开展了卓有成效的研究工作。到目前为止,已有多种方法可
国家自然科学基金资助项目
219
以用来合成AIN纤维和AlN晶须【6】,其中最重要和最具有工业化生产潜力的方法还是氧化
铝碳热还原法和有机铝盐热解方法。Caceres[n和周和平嗍等分别在1994年和1996年采用碳
热还原法成功地制备出了A1N晶须。美国杜邦公司的jD.Bolt等人在1988年采用有机铝盐
热解的方法成功制备出了A1N多晶纤维【”。
本文以硅酸铝纤维和碳黑为主要原料,通过原位碳热还原氮化,成功地制备出了A1N
纤维。通过对硅酸铝纤维原位碳热还原合成氮化铝纤维的工艺过程,氮化铝纤维的形貌和相
的组成以及微区成分进行了研究和分析,给出了硅酸铝纤维原位碳热还原合成AlN纤维的
简单物理模型。
2.实验过程
AIN纤维合成的主要实验装置为高温可控气氛石墨电阻炉,合成所用的主要原料为硅
酸铝纤维和碳黑。将硅酸铝纤维剪成合适的长度,按硅酸铝与碳重量比为4:1的量加入碳黑,
在水或乙醇中通过机械搅拌和超声分散进行混合。混合均匀并烘干后将原料放入石墨坩埚
中,在石墨电阻炉中通入氮气进行还原氮化合成。合成温度1650C,合成时间5h,氮气流
Dmax CSM950型)
IIIB型)进行相结构分析,同时对获得的AIN纤维采用扫描电镜(OVTON
和能谱仪进行微观形貌观察和微区成分分析。
3.实验结果分析与讨论
3 1 AIN纤维相结构分析与微观形貌观察
对获得的AIN纤维的相结构与组成元素进行了-射线衍射结构分析和能谱成分分析,见图
l和图2所示。分析结果表明,获得的AIN纤维是由单一AIN相结构所组成的。x.射线能
谱仪进行成分检测也未发现其它杂质元素的存在。对原料硅酸铝纤维和合成后的AIN纤维
的显微形貌分别在扫描电镜下进行观察,观察结果见图3。如图所示,硅酸铝纤维是表面光
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