氮化铁薄膜中反常霍尔效应的研究.pdfVIP

· 16· 材料导报B：研究篇 氮化铁薄膜中反常霍尔效应的研究+ 曹志慧1，任山令1’2，李永涛2，李兴鳌3 (I南京邮电大学电子科学与工程学院，南京210003；2南京邮电大学理学院，南京210003； 3南京邮电大学材料科学与工程学院，南京210003) 摘要 通过磁控溅射方法制备了氮含量不同的氮化铁薄膜，观察到随着氮含量的增加，薄膜的导电机制从金 属到半导体的转变。霍尔电阻的测量表明在高电阻区域反常霍尔电阻率与纵向电阻率的标度律为线性，即反常霍尔 效应遵循斜散射机制，但相应的反常霍尔电导率与纵向电导率的关系不总是线性。 关键词 磁控溅射方法反常霍尔效应标度律斜散射 中图分类号：0484．3文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2015．08．004 EffectofIronNitrideThinFilms AnomalousHall CAOZhihuil，REN Shanlin91”，LIYongta02，LIXing’a03 (1 ofElectronicScienceand ofPostsand 210003； College Engineering，NanjingUniversity ofPostsand 21 Instituteof 2 of 0003；3 FacultyScience，NanjingUniversity Telecommunications，Nanjing Scienceand ofPostsand 210003) Materials Engineering，NanjingUniversity Telecommunications，Nanjing AbstractIronnitridethinfilmswithdifferent contentwerefabricated nitrogen usingmagnetronsputtering． Withthe of content，atransitionof mechanismofthefilmfrommetallicto con— increasingnitrogen transport hopping resistancemeasurementsshowedthatthe lawbetweenanomalousHall ductionwasobserved．Hall scaling resistivity Hail and waslinearinthe the betweenanomalous longitudinalresistivity dirtyregime，butcorrespondingrelationship and wasnot linear． longitudinalconductivityalways conductivity