ｎ－ＧａＮ肖特基结.pdfVIP

湖南·陈沙 n—GaN肖特基结’ 张太平1。林兆军1，武国英1，王玮1。阉桂珍1。孙殿照2．张建平2．张国义3 (1北京大学微电子所，北京100871；2中国科学院半导体所新材料部 北京100083；3北京大学物理系，北京100871) 肖特基结的I～V特性。分析表明。Gain材料的裁流子浓度对肖特基姑的特性有很大的影 响。 关麓词：GaN；肖特基结；势垒高度；理想因子 1引言 GaN是一种化学性质稳定、热导率高的宽带隙半导体材料。它可用于制作电子和光电子 器件以及理想的高功率和…高温器件，国外GaN电子器件的研究现已成为一个热点，已有报 道GaNMESFET[1，“、GaN一，AIGaN 形成肖特基结是器件制备的关键工艺之一，我们在两种不同的GaN材料上制备了Au—GaN 的肖特基结，并对所形成的癌特基结的特性做了测试分析，发现(；aN材料的载流子浓度对肖 特基结的特性有很大的影响。 2实验 高宽分别为10’和87，这两种材料样品均未做有意掺杂，在显微镜下观察，它们的表面平整光 亮。首先对GaN样品进行清洁处理：在王水中煮15分钟，接着在丙酮、乙醇、去离子水中各超 声清洗10分钟，最后经氮气吹干并在真空烘箱(110％])中烘30分钟，肖特基结通过真空热蒸 ·基金项目：国家“九五”科技攻关资助项目。 第十届全国电子束离子束光子束学术年会 10-4cm2。用Research 100nm)四层复合金属，并经光快速退火炉，高温退火处理后形成欧姆接触。 3结果与讨论 料肖特基结的反向击穿电压～5伏。根据P—n结击穿理论L6 齐纳击穿。齐纳击穿主要由空间电荷区的最大电场强度决定，载流子浓度高的材料，其肖特基 结空间电荷区的电场强度大，齐纳击穿电压低。 ^v)IⅡpE8 ^《=口￡占 Vol“gc(v) voltagc0，) 图1 Au与MOCVD制备的GaN材料形成 图2 Au与MBE制备的GaN材料形成 肖特基结的I—v特性曲线 肖特基结的I—v特性曲线 在正向电压大小3kT／q的条件下，肖特基结的I—v方程可写为‘8]： I=loe．zp[q(V一豫)InkT) (1) 其中，n为理想因子，R是串联电阻，Io是饱和电流，并且： Jo=SA+T2exp(一≠／kT) (2) 带电子的有效质量，}是肖特基结的势垒高度，k是玻尔兹曼常数，h为普朗克常数。 在正向电流比较低的条件下，方程(1)又可进一步简化为： 湖南·X二p ，=“e3：p(qv／nkT) (3) 从已测得的肖特基结I—V特性曲线上(图1和图2)选取电压非常接近的两点(两点 电压的问隔为0．025伏)，把这两点的电压和电流数值代入(3)列出联立方程，并结合(2)即可 在由悬挂键引起的卒征表面态，因而不存在高密度表面态对肖特基结势垒高度的镁定效应，不 制各的肖特基结，在：金属一半导体之间一般总存在一薄的氧化展，并在界面上有一定数量的界 面态存在。界面介质层和界面态的存在使得肖特基结的势垒高度不再仅由金属功函数和半导 体材料的电子和能决定，考虑界面介质层和界面态的影响，An与GaN材料形成的肖特基结势 垒高度有关系式【”J： 5 ≠=】．03一口(M)o (4) a是与界面介质层和界面态相关的系数，N。为材料的载流子浓度。(4)式表明，在界 面介质层和界面态的影响下，肖特基结的势垒高度随半导体材料载流子浓度的升高而降低，由 (0．92eV)的差别。 计算得到的势垒高度由于受界面