三种GaAs++MMlC+MESFET混频器性能比较.pdfVIP

三种GaAsMMICMESFET混频器性能比较+ 孙晓玮 程知群 夏冠群翁建华 中国科学院上海冶金研究所200050 摘要：本文给出-j，三种GaAsMEsFEr单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本撮功率激 励下Gns唧Ic取栅混频器具有良好变频特性，栅混频器指标次之，漏混频器结构最简单，但变频特性不 如前两种。 一、引言 混频器是微波接收机中关键部件之一，它将射频信号经过非线性器件变换成中频信号。 随着半导体工艺技术的发展，为了满足通信系统小型化的要求，很多电路都要采用Gabs 单片集成技术(GaAsMM【c)来实现。用于混频器的非线性器件，一般是肖特基二极管，电 路结构形式有单端混频、平衡混频、双平衡混频。采用GaAs]vIESFET器件，电路也可分为 栅混频、漏混频、电阻混频、双栅FET混频等。在混合集成电路中，这些器件都是预先选 定好，分别进行端口匹配电路设计或滤波电路设计。而在GaAsIvlMlC混频电路中，为了工 一块GaAs衬底上。这种混频电路芯片尺寸较混合集成电路大大减小，通常在几mm2面积 上形成具有一定指标特性的混频电路。 本文给出了三种实际设计加工的GahaMMIC混频器芯片结构、设计方法、性能比较， 为进一步系统集成提供实验依据。 二、GaAsMMIC双栅聊混频器 双栅FET较单栅FET结构复杂，它实际上可以等效为一个共源班ITl与共栅FE玎2的 串接。但在导电机理上要比单栅FET复杂得多’3。利用双栅FET设计加协C混频器突出 优点就是射频与本振信号分别由两个栅输入，不用单独设计混合电路，减小了芯片面积。 实际设计的双栅FlIT混频器电路采用了两个双栅FET并联，实际电路芯片见图1所示。 当本振加到第二栅极，信号加到第一栅极时，中频由漏极输出，并在漏极输出端设计 了高频短路线，后面设计了一个中频放大器输出。双栅混频器变频特性主要取决于双栅的 栅控电压，它的大小直接影响器件的非线性特性。双栅FET直流特性曲线见图2。图中可 以看出，当V班0时，直流特性曲线发生压缩，意味着产生了非线性电导t它是产生混频 分量的主要因素。如果V吐o时，跨导几乎不变，对混频不利。在低噪声混频模式中通常 选择V。1O，V西O。在混频器电路设计中，要对各端口进行良好的匹配。 三、GaAsMM【C栅混频器 在栅混频器中4，采用单栅FET，其栅长×栅宽为l×3001．un。它是将射频和本振 同时从栅极输入，漏极中频输出。电路设计考虑到各端口的阻抗匹配和隔离特性，采用了 滤波器节匹配电路结构，而没有采用像MIC电路的90。混合环结构，这种电路结构在频率 较低时，芯片面积太大，不利于集成。电路中采用集中电感、电容设计滤波器。在IvSx,g_C 中采用螺旋电感、lvl3M电容。栅混频器具有变频增益，由于栅电容调制引起了低频噪声， 噪声系数要比相同器件在放大器中的噪声系数大。但是，栅混频器具有变频增益，能够降 +中国科学院重点项目资助 191 低总的噪声系数。当栅偏压接近夹断电压时器件的非线性度最高，变频特性最好。实际加 工的电路芯片见图3所示。 四、GaAsMMIC漏混频器 漏混频器同样采用单栅FET实现’，信号由栅极输入，本振、中频分别由漏极输入输 出。在这种电路中漏电压可以加也可以不加。因为本振功率较高，可以自动形成PET的工 作点。但是，当本振功率较小时，必须加入漏电压以保证FET正常工作的直流工作点。它 是利用非线性诵极电阻作为混频元件，由于降低了栅电容的调锦q作用，要比栅混频器噪声 低，但它的变频增益不如栅混频器。电路设计思想仍然是采用滤波器节进行各端口匹配， 提高彼此之间的隔离度。图4给出了实际设计的漏混频器芯片照片。 五、GaAsMMIC混频器工艺技术 成在GaAs衬底上。首先加工器件，采用全平面离子注入工艺，结台红外快速退火形成n 型有源区，进行台面隔离，并沉积AuGeN{／Au金属形成欧姆接触源一漏电极。为了降低接 触电阻，对含金温度和时间进行了精确控制。采用挖槽工艺，沉积Ti／Pt／Au形成肖特基接 触的栅金属。然后对器件进行保护，并测试直流特性。如果满足要求，开始进行无源器件 的工艺加工。电路中采用PECVD生长Si3N4，精确控制介质膜的厚度，形成MⅡ订电容。