烧结工艺对Ru-基厚膜应变电阻性能的影响.pdfVIP

烧结工艺对Ru一基厚膜应变电阻性能的影响 马以武宋箭常慧敏王英先 中国科学院合肥智能机械研究所，传感技术国家重点实验室，台肥，230031 摘要本文讨论了烧结峰温TM对厚腱应变电阻 表面积粒径空隙仪BET评估导电相和玻璃相的粒径 性能的影响。实验证明，烧结温度对不同Ru一基厚膜 大小 见袭1 ，差热分析法DTA评估导电相合成的 应变电阻的影响不同；Ru02 Bi2Ru207 起始反应温度 见图1和图2 。 PbzRueO，、，；随着TM上升，方阻R口下降，电阻温度 表1厚膜应变电阻的制备工艺条件 film Table1 Thickresistorpreparation 系教TCR上升，应变系数GF下降；导电相合成温度 processing 高，R口值较大，TCR略大，GF较大；但TCR和GF值 conditions 并不完全依赖于RE7和TM。采用厚膜电阻酌隧道阻挡 Ru0257．600m2／g， 层导电机理和液相烧结模型对实验结果进行了探讨。 导电相 B12R“207 7．9248m2／g， 关键词厚膜应变电阻烧结峰温方阻 电阻温 r～y 5—8569rn。／g 。Pb2RuzO 度系数应变系数 硼硅酸铅玻璃，救化点600℃ 玻璃相 比表面积1，9883m2／g 1引言 96％A1203，50．0×12．0×0． 电阻基片 30ram 厚膜力敏传感器是利用厚膜电阻的压阻效应，以 导体 Pd／Ag浆料，900C预烧 高性能厚膜电阻为应变电阻，采用厚膜工艺直接印烧 在氧化铝陶瓷弹性休上，制作而成的新型厚膜力敏传 电阻尺寸 1ram×1mm×15／1m 烧结后 感器。它具有蠕变小、耐腐蚀、工作温度范围宽、性能 烧结峰温TMT00～900℃，峰温 烧结工艺 价格比高等特点。已广泛应用于工业自动化过程控 时间10rain，烧结周期60rain 制，机电～体化领域，市场前景广阔“。。 目前，厚膜力敏传感器采用的厚膜应变电阻多为 Ru一基厚膜电阻，影响厚膜应变电阻性能的因素很 多。其中烧结工艺因素起重要作用，它主要分：烧结峰 温Tn、烧结周期、保温时闷、升降温速率以及气氛控 制。本文着重讨论了烧结峰温T“对不同Ru一基厚膜 性能的影响，以厚膜电阻的电阻阻值Rt2、电阻温度 圈1 RuOz，Bi20a台成导电相曲DTA曲线 系数TCR和应变系数GF作为性能表征参数，并由 1 Differentthermal curveofRu02，Bi203 Fig analysis BET实验、DTA实验对厚膜电阻的粒径、合成温度 synthesis conductingcomponent 进行评估，最后就厚膜电阻的导电机理和液相烧结模 型分析了厚膜电阻的微结构及其性能。 2试验方法 Ru“基厚膜电阻主要制作过程是：RuO：粉末的 前处理，按摩尔比称量RuO。、Bi。O。、PbO，配比，研图2 Ru02，PbO合成导电相的DTA曲线 2Differentthermal curveof 磨，合成导电相Bi皿u20，、Pb2Ru20Hi导电相和玻璃Fig analysis Ru02，PbO 相的配比，研磨、干燥，加入有机载体，混合轧浆备用。 synthesis component conducting 将厚膜电阻浆料印刷在预印烧好Pd／Ag导体的氧化 铝陶瓷上，流平，红外干燥，700～900℃烧结。经厚膜 力敏测试仪和高低温实验测量出Rc3-TCR、GF，由比 650 998‘io 《功糍材料》增刊1 3实验结果和分析 发生变化，Xb增加，e升高，R口上升。导电相比例越 大，导电链的通道越多，导电相对R口的影响越大，R口 越小，Xb越小，变化量也越小，e越小，变化量也越 Ru02的比表面积为57．60m2／g，为典型的纳米 小，应变系数GF也越小。反之，GF越大。 材料，金红石结构o】。它的界面比例较焦绿石结构的 3种导电相的比表面积已经在表1中列出：RuOe Bi2Ru。0，和PbzRu阶O，要大的多，界面能量高，晶粒 易受温度影响。粒子长大温度低，DTA图显示大约在 207℃开始脱水t并开始长大，丽Bi。Ru20，和 导电通路最少，Ro是大，这在表2和表3中得以体 Pb2Ru20，一，粒子反应起始温度大约在550～650+C之 现；同时发现在同样RO情况下3种Ru一基化合物的 间，并一直持续刘900C，八面体结构更加稳定 所附 TCR大小为：Ru02 BbRuzO7 Pb2R”eO～，但变化 DTA图】和图2 ，同时RuO。的稳定性较BizRuz07 幅度不大；应变系数GF大小依次为RuOz 和PhaRuzOT一，要低，对TM更加敏感，由表2和表3 可看出tRu02 Bj