全铌隧道结dc+SQUID+的制备与的研究.pdfVIP

·第四J舀全旧超导薄膜与超导电f学器f1学术会议沦文集● 全铌隧道结dc SQUID的制备和研究 杜寰，赵士平，王瑞峰，徐风枝，王晶，陈赓华，杨乾声 中科院物理研究所，凝聚态物理中心．北京100080 摘要：本文甩磁控溅射方法研究了全铌隧道结dc SQUID的制备。根据证结的Stcx、art- MeCumber参鞋Bc选择确定结的并联电阻，消除了结的四滞，并联电阻后的I-V曲线 很好的符合RSJ模型。为了获得大的磁通电压调制幅度，设计了较小的SQUID环孔． 4mV／ D”其 环孔电感为L～25pHa由此制各的SQUID具有传输函数 aV《Ⅻ。 m～I 率征能量分辨率达一24h。 自RC 量子干涉效应以后fII．直流超导量子干涉器件deSQUID SuperconducfngQUantum InterferenceDevice 取得了很大的发展。虽然目前高Tc SQUID能方便地．1。作在液氮温 度下，但其灵敏度低于用金属超导体 如铌、制成的低温SQUID的_!J之敏度，其部分原 因是T作环境温度高引起的，但主要的原因是在低频段存在大的额外噪声，它与薄膜和结 的材料性质有关，所以高Te SQUID主要用于灵敏度要求不很高的场合。现在以铌结为 基础的SQUID作为磁强计．其磁场分辨率1fT／VHz，能量分辨率￡～6h【“。本文基f 314 具有理想的SIS结特性的全铌隧道结lI，采用并联电阻的方法，研究rde SQUID的 设计和制备。我国以前曾有电阻并联型边缘结的SQUID方面的研究l：作． 日以平面型SIS 全铌隧道结为基础的SQUID的研究工作在国内尚属首次。 二、dcSQUID的图形设计和制备 DC 是彼此独立的．流过SQUID器件的l临界电流随外加磁场作周期性变化。如果将SQUID的 偏置电流适当地吲定在某个常数值上 通常大于2Ic，Ic为单结的临界电流 ，则dc SQUID两端的电压办随外磁场作周期性变化，周期为一个磁通量子巾o。超导环在外磁场 的作用‘F产乍的超导环流会对外加磁场起屏蔽作用．这会对dcSQUID的临界电流产牛 调制。随着SQUID环孔电感的增加，这种调制会变得越来越小【5】。崮此为了获得较 大的调制深度，需要设计较小的环孔。 日若环孔太小，会使得磁通耦合变得豳难．因此设 感。我们采用磁控溅射和选择铌膜阳极氧化等手段制各了铌结及de SQUID【31【41，其 结构如图l示．其中铌结的尺寸为3pm×3pjn。临界电流～50uA。环孔尺寸为15×15 rtm2，希按L 125．uod d为方孔的边长1计算环孔的电感【6】，我们有L 25pH。 丰i寰等：全铌隧道结deSQUID的制备和研究 Voltage mV 图1dc 图2全铌取结并联电阻前后的I-V曲线 SQUID的设计图形 三、并联电阻及RSJ模型 我们制备的典型的全铌双结的I．v特性曲线如图2中虚线所示，单个铌结的向积为 特性曲线出现回滞，但Bc若太小，会减小SQUID的电压调制幅度，典型的情兑是取pc nm．将这些数值 、0l～04对于我们制各的铌结而言，ebarrier～8，A～7tam2，t～2 Q。 代入上式，即可得C～200fF，代入到R的表达式，就可计算出需要并联的电阻值～4 这里结的并联电阻我们用AI／Ti双层膜结构来实现。AI膜的厚度约20nnl．Ti膜的厚度 约30 11111。在零场下，并联电阻后SQUID双结的I．v特性曲线如图2中的实线所示， 由图可见其IW曲线在能隙区域内与RSJ模型符合得很好。 四、量子干涉效应的测量 如图3为SQUID量f干涉效应测量的原理阁，测量在液氦温度及磁屏蔽条件F进 行。根据双结的l-v曲线．可以确定偏置电流的大小。外加磁场通过螺线管馈送到SQUID l 环孔上．SQUID两端接入灵敏度为0rtV的直流电压表，电压和磁场信号送到X．Y记 录仪。当磁场连续变化时，在SQUID环的两端能测到随磁场作周期变化的电压信号， 其周期为一个磁通量子，如罔4所示。由图可知，SQUID输出的电压信号峰一峰值Vpp 4 rtVpp 1mV／00。如果只考虑并联电阻引起的fj噪声，则可得到方均噪声电难频谱密 暖为：sV f 7 l+1／2 I邮 2】 4kTRd2／R fj，式中1为偏置电流，Rd为SQUID动 态电阻。式中第一项代表Rd r热噪声引起的方均噪声电压频谱密度，第‘：项则为器什的 1 34 ●第四届全蚓超导薄膜与超导I乜r学器件学术会议沦上集● 非线性引起的方均噪卢电压频谱密度。由sv f 和传输函数就可求得磁通噪声功率谱密 P。匕砖驴! tic 瞬3 deSQUID测量的原理图 圈4 一：SQUID量子千涉曲线．插图为对应的l-V曲线