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中国可再生能源学会2011年学术年会论文（光伏）
梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及其性能研究
闫聪博，陈新亮，张德坤，孙建，魏长春，张晓丹，赵颖，耿新华*
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点
实验室 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 300071
E-mail: cxlruzhou@163.com
摘要：为提高MOCVD-ZnO-TCO薄膜的光散射能力和在近红外区域的透过率，本研究小组提
出新的工艺技术—“梯度掺杂”技术，即根据不同掺杂量下ZnO:B薄膜的性能差异，在薄膜
生长的不同时间内采用不同的掺杂量，实现对ZnO:B薄膜表面特性、光电特性的改善。实验
获得的ZnO-TCO薄膜具有高可见光及近红外区域透过率和良好的电学性能（迁移率为 22.9
2 -3
cm/Vs、电阻率为1.2×10 Ωcm）。此种新型技术生长的TCO薄膜有望更好地应用于Si基
薄膜太阳电池上，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。
关键字：MOCVD；绒面结构；ZnO-TCO薄膜；梯度掺杂技术；薄膜太阳电池
1 引言 意大利Portici研究中心的M.L.Addonizio
ZnO透明导电氧化膜（ZnO-TCO）作为直 等人详细研究了BH 掺杂对ZnO薄膜迁移率
2 6
[8]
接宽带隙II-VI族氧化物半导体材料，晶体 的影响 ；瑞士IMT研究小组的S.Y.Myong
结构呈现六方纤锌矿结构，原料丰富、清洁 和J.Steinhause等人对MOCVD技术生长的
[9-10]
无毒，具有好的光电性能和强的抗H等离子 ZnO:B薄膜中电子输运过程进行了研究 。
体还原的能力，是硅基薄膜太阳电池的重要 此外，南开大学课题组详细探讨了衬底温度
组成部分。绒面结构ZnO-TCO薄膜应用于太 和BH 掺杂等参数对ZnO-TCO薄膜微观结构
2 6
[1-4] [11-12]
阳能电池中可形成良好的“陷光效应” ， 和光电性能的影响 。根据上述国内外报
从而提高薄膜太阳电池的短路电流和稳定 道的研究结果可得到 LP-MOCVD 技术生长
性。金属有机化学气相淀积技术（简称： ZnO-TCO薄膜的一些重要特性：a）ZnO:B薄
MOCVD技术）具有沉积温度低（＜200℃）、 膜的晶粒尺寸随掺杂量增加而减小；b）
薄膜均匀性好、高生长速率、无离子轰击以 ZnO:B薄膜在近红外区域透过率随掺杂量增
及直接生长绒面结构ZnO-TCO薄膜等优点， 加而降低；c）适当的掺杂量下，ZnO:B薄膜
是生长ZnO-TCO薄膜的重要技术之一。 具有良好的结构及电学性能。根据MOCVD生
当前，国内外对 LP-MOCVD 技术生长 长ZnO-TCO薄膜的特点，我们提出“梯度掺
ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究已有许多相关 杂”技术生长 ZnO-TCO 薄膜，尝试在
报道，如瑞士IMT研究组的S.Faÿ等人详细
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