锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜（HRTEM）的研究.pdfVIP

!§! 曼查墨全匿堡堡显壁生查垒丛垒塞基 锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜 (HRTEM)研究。 陈伟华黄靖云亓震卢焕明赵炳辉叶志镇阙端麟 10027) (浙江大学硅材料重点实验室杭州3 摘要：本文报道用超高真空化学气相沉积系统(UHV，cVD)方法，采用锗岛缓冲层技术，在 硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜(HRTEM)显示，外延层界面过渡良好，外延层顶 ’ 部结晶质量优于采用线性渐变缓冲层技术生长的锗硅外延层。 一、弓l言 锗硅异质结材料是近年来受到广泛重视的新型半导体材料。它具有许多独特的性质， 具有重要的应用价值，被称为“第二代硅材料”。 生长锗硅材料的方法很多，如分子束外延(MBE)，限制反应生长化学气相沉积 多独特的优点，最具发展前景，值得大力推广。 由于锗硅材料的特殊性质和器件的特殊要求，在具体材料生长时，还需要进行一些特 殊的处理，如生长缓冲层等。所谓缓冲层是指锗硅外延层与硅衬底之间的过渡屡。锗硅合 金外延层与硅衬底存在一定的晶格失配，晶格失配率为4．2x％(x为锗硅外延层中锗的原 子百分比)。直接在硅衬底上生长的外延层缺陷密度很高，达不到器件的要求。缓冲层的 存在，可以将锗硅外延层与硅衬底之间的失配位错网络定域在缓冲层的下部，甚至深入到 衬底，而缓冲层的顶韶将是无位错的外延层H】12】。这个外延层可以作为在其上生长的外延层 的“伪衬底”，改善它的结晶质量。另外，缓冲层在一定程度上可以将锗硅体系的应变引 入衬底。这对锗硅外延层的能带会产生影响，使得锗硅外延层的导带上移，可以形成电子 阱。 目前常用的缓冲层技术有以下几种：组分线形渐变缓冲层技术p】和组分阶梯渐变缓冲 层技术f4J即在硅衬底上生长多层的锗硅外延层，其中锗的含量是程阶梯或连续变化的； 二步缓冲法【71，即首先生长～薄层锗硅合金，退火迟豫应变后，再生长厚的合金外延层； 锗岛缓冲层，既首先在硅片表面生长锗岛，随后生长锗硅外延层。在异质结界面附近形成 的失配位错在运动很短的时间后就可以运动到锗岛处，有效地抑制了胁变位错的生长。这 有利于降低缓冲层中的位错密度，降低总缓冲层的厚度。 ‘本课题得到国家自然科学基金重大项目，国家自然科学基金，教育部“跨世纪优秀人才”基金等资助． 蔓室鱼全璺垦堡蔓基堂墨金丛鱼塞堡 !!} 部结晶质量优良的薄的锗硅缓冲层。 二、实验 生长锗岛，故此在实验中我们将衬底的原位清洗和锗岛的生长结合到一起，改进了原位清 洗(严格的说，改进后的步骤已不能完全算作清洗了)。具体措施是在通锗烷时降低衬底 三维成核形成锗岛。在800℃下，由于温度过高，形成的锗岛不稳定。在降低温度，延长 通气时间后锗岛便形成了· 。 ．一 表l：JEM-2000X型高分辨电镜参数 型号 点分辨率 线分辨霉 加速电压 电子波长 相机常数 (rim) (rim) 涨v) (rim) (mm·rim) JEM-2000X0．26 O．14 200 0．00251 】．99 我们选取的样品生长参数的生长条件如表2所示。 表2：样品生长参数 l样品号 硅烷流量 锗烷流量 生长温度 生长时间 衬底原位处j (SCCITt)(seem) (℃) (rain) 理工艺l 5# 30 4 620 87 改进后l 三、结果分析 面处，衬底和