1.3μm与1.55μmSi_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_xSi应变超晶格探测器的集成.pdfVIP

　第 19 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 2　 V o l N o 　1998 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Feb. , 1998　 1. 3 和 1. 55 1- x x 波长信号分离器 m m Si Ge 与 1- x x 应变超晶格探测器的集成 Si Ge Si 李宝军　李国正　刘恩科 ( 西安交通大学微电子工程系　西安　710049) 摘要　对 13 和 155 波长的 波长信号分离器( ) 和 应变超晶 m m Si1- x Gex W SD Si1- x Gex Si 格 (SL S) 红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计. 优化结果为: ( 1) 对 Si1- x Gex , 含量 = 0 05. 波导的脊高和腐蚀深度分别为 3 和 2 6 . 对应于 = 1 3 和 W SD Ge x m m m 1 = 1 55 波长的波导脊宽分别为 11 和 85 . (2) 对 探测器, 含量 2 m m m Si1- x Gex Si SL S Ge x = 0 5. 探测器的厚度为 550nm , 由23 个周期的 6nm Si Ge + 17nm Si 组成. 对应于 = 0. 5 0. 5 1 13 和 = 1 55 波长的探测器长度分别为 1 和 2 . m m mm mm 2 : 6150 , 7230, 4130, 2530 , 2520 PACC C C 1　引言 波长信号分离器 ( ) 和红外探测器是光通信和光信息处理系统中非常重要的器 W SD 件. 国外已出现了关于 = 1 3 和 = 1 55 的 的研究报道[ 1～ 3 ] , 但这些 1 2 m m W SD W SD 都是以玻璃作为衬底的, 难以与微电子器件集成在一起. 随着光通信系统容量的不断扩大和 光集成度的提高, 开发一种既适合于光通信系统、又能满足微电子器件和光电子器件大规模 集成要求的W SD 引起了高度重视. Si 是实现这种集成的首选材料.