AlN%2fGaN耦合双量子阱子带波函数及红外波段子带跃迁.pdfVIP

第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集 的A1GaN取代AIN作为势垒，来调整子带能级和子带间跃迁波长，有可能促使不共振的激发态能级达到 共振条件，以获得三能级或四能级系统的量子阱。 l理论分析 对于典型的A1N／GaN异质结界面导带底形状，我们可以用台阶和三角势作出近似‘151。图l给出了耦 合双量子阱导带底能带的两种势能形状，(a)为不考虑GaN体系材料强极化效应的导带底势能形状图，(b) 为考虑了极化效应的导带底势能形状图。图中，％表示AIN／GaN异质结界面处导带能量偏移量，，bl、如、 凡、凡l、％表示各区域的极化电场强度的大小，三l、￡2分别表示两个量子阱的宽度，d表示中间耦合势 垒层的厚度。 Z (a)平带阱：不考虑极化效应的耦合双阱 Co)斜带阱：极化效应F耦合双阱 图l AIN／GaN耦合双阱导带底势能形状 根据周期势模型和电荷中性条件，我们得到耦合双量子阱中势阱和势垒各区域中的极化电场强度分别 表示为如下各式。 ～。％‰k鹋+～I气