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基于RTD的与非门和或非门设计.pdf

第 卷第 期 Voi .20 No .5 20 5 年 月 Sep . 2004 BULLETIN OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 2 0 0 4 9 基于RTD 的与非门和或非门设计 1 2 1 林 弥 ,孙浙永 ,沈继忠 ( 浙江大学 信息与电子工程学系,杭州 ; 浙江大学水电中心,杭州 ) 1. 310028 2 . 310027 摘 要:共振遂穿二极管RTD 是新型的量子器件,以它为基础设计的与非门、或非门量子门电路具有结构简单、功 耗低、速度快等特点,可作为基本逻辑单元实现任意RTD 组合逻辑电路. 关键词:电子电路;布尔逻辑;完备集; ;与非;或非 RTD 中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) TN312 .2 TN402 A 1001 - 7119 2004 05 - 0434 - 04 Design of Nand and Nor logic gates based on RTD 1 2 1 , , LIN Mi SUN Zhe-yong SHEN i-zhong ( , , , ; 1. Department of Information Science and Eiectronic Engineering Zhejiang University Hangzhou 310028 China , , , ) 2 . Water and Eiectricity Center Zhejiang University Hangzhou 310027 China : ( ) , Abstract RTD resonant tunneiing diode is a novei guantum device the Nand and Nor iogic gates which are designed based on , RTD consist of the compiete set of iogic functions and have simpiier struct

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