半导体光催化氧化技术地的研究进展_刘冬妮.pdfVIP

半导体光催化氧化技术地的研究进展_刘冬妮.pdf

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24 3 ( ) V ol. 24 No. 3 2003 5 Journal o f Jiang su U niversity( N atural Science Edition) M ay 2003 刘冬妮 陈健波 郑 铭 ( 2 120 13) [ ] 作为 一种高级氧化工艺 半导体光催化氧化技术能有效降解多种 环境有害的污染物 使污染物矿化为CO H O 及其他无机小分子物质 1 在诸多半导体光催化剂中 T iO 由于无毒催 2 2 2 化活性高氧化能力强稳定性好成本低 成为最常用也是最具潜力的 一种光催化剂1 阐述了 T iO2 光催化氧化的反应机理 介绍了决定T iO2 光催化性能的因素及提高其活性的方法 总结了光 催化反应器的发展及影响光催化反应效率的因素 并展望了半导体光催化氧化技术的前景 指出了 今后的研究方向1 [ ] 半导体; 光催化; 光催化剂; 光催化反应器 [ ] T Q034 [ ] A [ ] 1671- 7775 ( 200 3) 03- 004 0- 05 1 1 1 1 ( 3 eV ) ( e- ) 1 ( h+ ) 1 [ 1] 1 1 ; H 2 OCO2 [ 2] 1 1 T iO2 H2 O OH- 1 H O OH-

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