半导体硅表面化学镀铜.pdfVIP

【工艺开发】 半导体硅表面化学镀铜 王勇， 张远明， 陈云飞 （东南大学机械工程系，南京 210096 ） 摘 要：介绍了以次磷酸钠为还原剂、硫酸镍为再活化剂的半 neering ，Southeast University ，Nanjing 210096 ，China 导体N 型硅表面化学镀铜工艺及其前处理。探讨了镀液中铜 盐含量、还原剂含量、pH 及温度对沉积速率的影响。确定了 0. 15 mol / L CuSO ·5H O ，0. 03 mol / L 化学镀铜最佳工艺条件： 4 2 1 前言 NiSO ·6H O ，0. 75 mol / L NaH PO2 ·H O ，0. 08 mol / L 4 2 2 2 Na C H O ·H O ，0. 5 mol / L H BO ， 0. 2 mg / L 硫脲，60 ～ 化学镀铜是利用合适的还原剂，使镀液中的金属 3 6 5 7 2 3 3 65 ℃ ，pH 12. 0 ～ 12. 5 。采用扫描电镜及能谱仪分别对镀覆 铜离子在具有催化活性的基体表面还原沉积出金属 30 min及40 min 制得的2 种镀层表面形貌及成分进行了分析 铜，形成铜镀层的一种工艺。在过去的几十年中，随 与比较。结果表明，镀覆30 min 镀层组织较为致密，而镀覆 40 min 的镀层组织较粗糙；随镀覆时间的延长，镀层中铜含量 着电子工业的飞速发展，这一技术无论在理论还是在 明显提高。该镀层接触电阻基本能满足微制冷器的要求。 实践方面都得到了完善和提高［1］。作为化学镀铜液 N 型硅；化学镀铜；再活化剂；沉积速率；表面 关键词：半导体； 的还原剂有甲醛、次磷酸盐、肼、硼烷等。以甲醛作为 形貌；接触电阻 还原剂的化学镀铜工艺原料易得，较便宜，工作温度 中图分类号：TG174. 44 ；TG178 文献标识码：A 较低；缺点是镀液不稳定，在碱性溶液中会发生自身 文章编号：1004 - 227X（2006 ）02 - 0005 - 03 ［2 ］ 氧化还原反应而损耗，同时甲醛有毒，污染环境 。 Electroless copper plating on semiconductor silicon / / WANG Yong ，ZHANG Yuan-ming ，CHEN Yun-fei 目前，以次磷酸钠取代甲醛作为化学镀铜的还原剂已 Abstract ：A process of electroless copper plating and its 有报道。杨防祖［3 ］等研究了以次磷酸钠为还原剂的化 pretreatment of semiconductor N-silicon were introduced ， 学镀铜工艺和镀层结构，指出了工艺的基本特性。本 using sodium hypophosphite as reducer and nickel