溶液法制硫化镉薄膜.docVIP

上海大学2012～2013学年春季学期 材料科学导论C课程论文 课程名称： 材料科学导论C 课程编号： 论文题目： CdS薄膜及其制备 姓 名: 邢凯健 学 号: 论文评语： 论文成绩： 任课教师： 评阅日期： CdS薄膜及其制备 摘要: CdS薄膜在异质结太阳能电池中是十分重要的n型窗口材料,它的制备可以通过真空镀膜,分子束外延,磁控溅射及化学沉积的方法来实现,而化学沉积方法中,最为常用的就是水浴法是十分重要的。 （1）氨水溶于水后产生OH-： NH3+H2O NH4++OH- (1.1) （2）在碱性环境里面，醋酸镉提供Cd2+： Cd(Ac)2→Cd2++2Ac- (1.2) （3）未水解的氨和Cd离子络合，形成四氨合镉离子正式它起到缓慢释放Cd2+的作用： Cd2++4NH3 Cd(NH3)42+ (1.3) （4）当醋酸铵、氨水、醋酸镉混合以后，对于异质反应，本质上是一种表面吸附-成核过程。当Cd2+、OH-生成Cd(OH)2吸附在衬底表面。 Cd2++2OH-→Cd(OH)2↓ (1.4) （5）当溶液加入硫脲以后，[SC(NH2)2]与OH-反应分两步释放S2-。释放的S2-再与Cd2+结合在衬底和容器壁上生成CdS。 [SC(NH2)2]+OH-→CH2N2+H2O+HS- (1.5) HS-+OH-→S2-+H2O (1.6) Cd(NH3)42++S2-→CdS+4NH3 (1.7) 2.2 实验仪器 图1 实验装置 2.3 实验数据 编号 温度（摄氏度） 醋酸氨（ml） 氨水（ml） 硫脲（ml） 1 80 2 3 1 2 50 2 3 1 3 65 2 3 1 4 65 2 3 1 5 65 2 3 1 6 65 3 3 1 7 65 3 3 1 8 65 2 3.5 1 9 65 2 3.25 1 10 65 2 3 1 11 65 2 2.75 1 12 65 2 3 1 注：加粗数据为理论标准值 图2 不同条件下生长的CdS薄膜 上述为几组生长的不错的薄膜表面晶相图。可以发现，在于理论计算的实验数据相近的条件的下生长的薄膜质量都比较高。 2.4 实验结论 不难发现，再经过许多次的试验后，CdS薄膜的质量有可比较明显的提高。主要体现在薄膜的厚度，薄膜的均匀性以及薄膜的粘附性。个人认为反应速率是水浴法沉积CdS薄膜最为关键的一个因素，而影响化学反应速率的因素又有以下几个：反应温度、NH4+离子的浓度。 在本次试验中，我们希望达到65摄氏度恒温25min，而实验室中的恒温磁力搅拌器在控制温度上有很大的缺陷，并且基本无法解决，只能通过手动控温来达到恒温的要求，但是温度浮动对薄膜质量的影响在本实验中是无法避免的。通过对薄膜表面形貌的观察，我们发现：当温度过高，薄膜的厚度会增加并且导致均匀性差，这就说明了反应速率过快；当温度过低，薄膜的均匀性虽然比较理想，但是薄膜的厚度以及薄膜的粘附性都很不理想，这就说明了反应速率过慢。 除了温度对反应速率有影响外，NH4+离子对反应速率的影响显得更加的关键。从实验原理中我们不难发现，该反应是一个可逆反应，而NH4+的浓度多少会决定反应的方向。从实验中我们得出通过改变NH4+离子的浓度来控制反应速率的方法有两种：一是控制氨水不变，改变NH4Ac的量；二是控制NH4Ac不变，改变氨水的量。在改变NH4Ac的量中，我们发现如果将其量由原来的2ml增加至3ml（其它全部按照标准值），反应溶液的颜色，出现沉淀的时间以及薄膜的质量都会得到很好的改善。如果改变氨水的量，由原来的3ml增加至3.5ml，会使反应的速率大大减慢，导致薄膜的厚度过小，因此如果希望得到有一定厚度的薄膜，那么氨水量的选择变得尤其重要。 抛开上述比较重要的因素外，我们仍然发现其它因素对于薄膜质量的印象也有着不可忽视