拓扑缺陷对单壁碳纳米管电子结构和其光学光谱的影响.pdfVIP

第27卷，第7期 光谱学与光谱分析 20O7年7月 Spectros00py狮dSpectralAmlysis Jllly，2007 拓扑缺陷对单壁碳纳米管电子结构及其光学光谱的影响 谢 芳1，胡慧芳¨，韦建卫1，曾 晖1，彭 平2 1．湖南大学应用物理系，湖南长沙410082 2．湖南大学材料科学与工程学院，湖南长沙410082 摘要应用密度泛函理论计算了半导体型单壁碳纳米管(7，o)和(8，o)以及其发生镜像对称和非镜像对 称s“Dne-wales形变、形成异质结(7，o)一(8，o)情况下的能带结构、吸收光谱、反射光谱，并对计算结果进 行了比较。研究发现：弓I入拓扑缺陷态后，碳纳米管的能带结构发生了明显的变化，费米能级在不同缺陷情 况下移动方向不一致；碳管的吸收和反射明显减弱且吸收峰和反射峰在低能区发生红移现象；在光子能量 约为E=13 eV处各碳管的吸收谱和反射谱中均出现一特征峰，并且在引入缺陷以后该特征峰向高能区移 动。文章对计算结果进行了分析和探讨，可望利用这种拓扑缺陷的引入而产生的光电特性来设计碳管光电 器件。 关键词单壁碳纳米管；拓扑缺陷；能带结构；吸收光谱；反射光谱 中图分类号：0433．1文献标识码：A 文章编号：100伊0593(2007)07—1267-04 相关的。如同碳管和金刚石均由碳原子构成，但由于结构的 引言 差异，将导致光学谱线的不同Ⅱ引，因此有必要对具有拓扑缺 陷的碳纳米管的光学光谱进行探讨。 自1991年Iijin豫[13首次用高分辨透射电镜发现具有纳米本文旨在探讨半导体型单壁碳纳米管(s-SwCNT)的 尺寸的多层管状物一碳纳米管(CNTs)以来，单壁碳纳米管 ‰ne—wal骼缺陷和异质结对其电子结构和光学光谱的影响， (删Ts)相继被发现[2’3]。这种神奇的碳素纤维以其独特计算了不同模型的能带结构、吸收光谱和反射光谱，并对计 的准一维分子结构、良好的热稳定性、优异的力学性能、独 算结果进行了分析研究，为含缺陷碳管在光电材料中的应用 特的电子特性(如：它能发生从金属到窄带和宽带半导体的 提供理论依据。 奇迹般的变化，而这种变化仅仅依赖其直径和螺旋度，无需 经过掺杂处理【“5])、良好的场发射性能、充裕的光学性 1计算方法和模型 能[¨]和诱人的应用前景而受到人们的广泛关注[9]。单壁碳 纳米管可简单的看作是由单层石墨片沿不同轴向卷曲而成， 计算中选择直径分别为o．54和O．62f蛆的s．刚煳 根据不同的直径和手性，碳纳米管表现出金属和半导体的特 征。这些有趣的光电特性使碍碳纳米管成为了制造分子器件 对称和非镜像对称及(7，O)一(8，O)连接的异质结模型。图1 的理想选择材料，因此成为人们研究的焦点之一[10]。 对于理想、完整的碳纳米管的结构和性能的研究已经取 得了很大的进展，但是实验发现，碳管在制备以及利用s1M是通过对平行于管轴的一个碳一碳键中心旋转90。而得；(d) 和ATM对其进行扫描分析的过程中不可避免的会产生一些 缺陷[11“2]，在制备碳纳米管器件的过程中，碳管样品需要和过对与管轴倾斜的一个碳—碳键绕其中心旋转906而得；(e) 金属电极接触，不可避免会产生抵触应力，可能导致Stone_为引入一个5—7缺陷对连接成半导体-半导体(孓s)的(7，O)一 Wales缺陷的产生，这一点通过X射线吸收谱也得到证(8，o)异质结碳管。其中深色部分为缺陷。在以下的讨论中， 实[13]。因此，研究拓扑缺陷对单壁纳米碳管的电学性能的影分别记理想(7，o)碳管为模型A，理想(8，o)碳管为模型B， 响是很有意义的，此外，材料的电学性能和光学性能是密切 收稿日期：2006加5—10。修订日期：2006_08—20 基金项目；国家自然科学基金项目资助