大面积金刚石膜%2fSi衬底复合片均匀性研究.pdfVIP

2010年 10月 第 5期 金刚石与磨料磨具工程 0ct．2010 第3O卷 总第 179期 Diamond AbrasivesEngineering No．5 Vo1．30 Seria1．179 文章编号：1006—852X(2010)05一O044—05 大面积金刚石J]~／Si衬底复合片均匀性研究 张营营 李成明 陈良贤 刘金龙 黑立富 吕反修 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) 摘要 对直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术，在 76．2mm的 Si衬底上沉积得到的金刚石膜 ，通 过 SEM和激光 Raman表征其质量均匀性。为缓解金刚石膜 ／Si复合片的内应力，采用台阶式冷却的方 式，对样品在 l050℃进行真空退火处理，使样品内的压应力从3．09GPa减小到 1．16GPa。对样品生长 面进行机械抛光，采用表面轮廓仪检测其表面粗糙度均匀性。结果表明：在676．2mm的金刚石膜 ／Si复 合片上获得的表面粗糙度小于5nm。 关键词 金刚石膜 ；均匀性；真空退火；表面粗糙度 中图分类号 TQ164 文献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2010．05．009 Uniformityoflargeareadiamondfilm ／Sicompositepiece ZhangYingying LiChengming ChenLiangxian LiuJinlong HeiLifu LvFanxiu (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofScience andTechnologyBe~iing，Beoing100083，China) Abstract Thelargeareadiamondfilmsweredepositedon676．2mm SisubstratesbyDC—arcplasmajet chemicalvapordeposition．ThequalityanduniformityofthediamondfilmsspecimenwereanalyzedbySEM and Raman spectrum scope． In order to reduce the residualstressof diamond film／Sicompositepiece，the specimenswereannealedusingstepcoolingatthetemperatureof1050℃ invacuum．Theresultshowsthatthe compressivestressofthespecimenisreducedfrom 3．09GPato1．16GPa．Thesurfaceroughnessofdiamond filmsislessthan5nm bysurfaceprofilerafterthegrowthfaceofthespecimenispolished． Keywords diamondfilm；uni~rmity；vacuum annealing；surfaceroughness CVD法是 目前制备金刚石膜最常用的方法，技术 0 引言 成熟的有热丝 CVD、微波等离子体 CVD和直流电弧 金刚石有极其优异的物理化学性能，高硬度、低摩 等离子体喷射 CVD。其中，直流电弧等离子体喷射 擦系数、高弹性模量、高纵波声速、高热导率、宽禁带带 CVD沉积速率快，适合于生长大面积 的金 刚石 隙、高击穿电压、低介电常数以及从紫外到红外都很高 膜_2j。单晶 si是一种非常重要并且被普遍使用的 的透过率等 ¨J。金刚石膜在工具制