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材料化学第二版 李奇 李光巨主编课后习题答案精选.docVIP

材料化学第二版 李奇 李光巨主编课后习题答案精选.doc

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材料化学第二版 李奇 李光巨主编课后习题答案精选.doc

材料化学 第一章 5.试叙述划分正当点阵单位所依据的原则。平面点阵有哪几种类型与型式? 请 论证其中只有矩形单位有带心不带心的两种型式,而其它三种类型只有不带心的 型式? 答:划分正当点阵单位所依据的原则是:在照顾对称性的条件下,尽量选取含点 阵点少的单位作正当点阵单位。平面点阵可划分为四种类型,五种形式的正当平 面格子:正方,六方,矩形,带心矩形,平行四边形。 (a) (b) (c) (d) (a)若划分为六方格子中心带点,破坏六重轴的对称性,实际上该点阵的对称 性属于矩形格子。(b)(c)分别划分为正方带心和平行四边形带心格子时,还可 以划分成更小的格子。(d)如果将矩形带心格子继续划分,将破坏直角的规则性, 故矩形带心格子为正当格子。 6.什么叫晶胞,什么叫正当晶胞,区别是什么? 答:晶胞即为空间格子将晶体结构截成的一个个大小,形状相等,包含等同内容 的基本单位。在照顾对称性的条件下,尽量选取含点阵点少的单位作正当点阵单 位,相应的晶胞叫正当晶胞。 9.什么叫晶面指标,标出下图所示点阵单位中各阴影面的晶面指标。 答:晶面指标(hkl)是平面点阵面在三个晶轴上的倒易截数之比,它是用来标 记一组互相平行且间距相等的平面点阵面与晶轴的取向关系的参数。 (001) (1 10) (11 1) (0 1 1) (1 11) (101) 12、什么是晶体衍射的两个要素?它们与晶体结构有何对应关系?晶体衍射两要 素在衍射图上有何反映? 答: 晶体衍射的两个要素:衍射方向和衍射强度 关系:晶胞大小、形状 衍射方向衍射(点、峰)的位置 晶胞内原子种类和位置衍射强度衍射点(线)的黑度、宽度峰的高度、高度 13、阐明劳埃方程各符号的物理意义,并说明为何摄取劳埃图时需用白色射线, 而在用单色特征射线摄取单晶回转图时,需使晶体沿一晶轴旋转? a,b,c 为空间点阵中三个互不平行的基本向量的大小 αO,βO,γO分别为三个方向上的X射线入射角 α,β,γ 分别为三个方向上的衍射角 h,k,l 为一组整数,称为衍射指标,分别表示在三个晶轴方向上波程差所含 的波数 λ 为波长 α,β,γ三个角度不是彼此完全独立的,他们之间还存在一定的函数关系。 这个关系连同劳埃方程共有 4 个方程,联系 3 个未知变量,一般得不到确定解。 欲得确定解,即欲得衍射图,必须增加变数。两中途径可达到此目的:一是晶 体不动,采用多种波长混合的“白色”X射线,即X射线的波长λ在一定范围内 发生变化,摄取劳埃图的劳埃照相法就是采用此法;二是采用单色X射线而使 晶体转动,即改变αO,βO,γO的一个或两个,回转晶体法就是采用这种方法。 16.Laue方程和Bragg方程解决什么问题,它们在实质上是否相同? 答:P44-49,晶体X射线衍射的方向问题,实质同 第二章 2、已知氧化铁Fex0(富士体)为氯化钠型结构,在实际晶体中,由于存在缺陷,x <1。今有一批氧化铁,测得其密度为 5.7g/cm3,用MoKα射线(λ=71.07pm)测 得其面心立方晶胞衍射指标为 200 的衍射角θ=9.56°(sinθ=0.1661,Fe的相对 原子质量为 55.85)。 (a)计算Fex0 的面心立方晶胞参数。 (b)求 x 值。 (c)计算Fe2 +和Fe3+各占总铁质量的质量分数。 (d)写出表明铁的价态的化学式。 第三章 5、用固体能带理论说明什么是导体、半导体、绝缘体? 参考:金属离子按点阵结构有规则的排列着,每一离子带有一定的正电荷。电子 在其间运动时与正离子之间有吸引势能,而且电子所处的位置不同,与正离子之 间的距离不同,势能的大小就不同。因此,电子实际是在一维周期性变化的电场 中运动。电子除直线运动外,在正电荷附近还要做轻微的振动。当电子的 de Broglie 波在晶格中进行时,如果满足 Bragg 条件 nλ=2dsinθ时,要受到晶面 的反射,因而不能同过晶体,使原有能级一分为二,这种能级突然上升和下降时 能带发生断裂。已充有电子,能带完全被电子所充满叫满带。带中无电子,叫空 带。能带中有电子单位充满叫导带。各能带的间隙是电子不能存在的区域,叫禁 带。 在导体中,具有导带。在外电场作用下,导带中的电子改变了在该能带不同能级 间的分布状况,产生了电子流。 绝缘体的特征是只有满带和空带,而且禁带很宽。满带与空带的能级差大于 5eV, 一般的激发条件下,满带中的电子不能跃入空带,即不能形成导带。这就是绝缘 体不能导电的原因。 半导体的特征也是只有满带和空带,但满带与空带间的禁带距离很窄,一般小于 3eV。在一般的激发条件下,满带中的电子较易跃入空带,使空带中有了电子, 满带中有了空穴,都能参与导电。由于需克服禁带的能量间隙,电子跳跃不如导 带那样容易,因而电阻率也比导体

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