N-SiC欧姆接触研究进展.pdfVIP

第十矗●奎■化奢-牛●俸．t曩-件和走电-停事拳●试 广I囊膏2006年11月 N．SiC欧姆接触的研究进展· 张娟t柴常春杨银堂贾户军 (西安电子科技大学徽电子学院710071) (宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室) 摘要：本文在比较已报道的n型Sic欧姆接触数据的基础上，着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题．此后又介绍了 一些其他金属与a-SiC形成的欧姆接慧，反映了n型SiC欧姆接触发展现状，多种不同的表面处理，掺杂方式和金属结构被用来制各 性能良好的接触． 关键词：n-SiC，欧姆接触，Ni接触 I、引言 SiC材料禁带宽度大，击穿电场高，饱和漂移速度和热导率大，化学性能稳定，抗辐射能 力强，结实耐磨损。这些内在材料优越性能使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件 的理想材料，在航天、‘航空、石油勘探、核能、通信等领域有广泛的应用前景【1】。 在SiC大功率器件中，SiC和金属间的欧姆接触电阻的大小直接影响到SiC大功率器件性 能的优劣。如果接触电阻太高，器件工作时的压降及功耗增大，引起器件因发热而温度过高。