ZnO光电导紫外探测器的制备与特性研究.pdfVIP

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2015-08-12 发布于安徽
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ZnO光电导紫外探测器的制备与特性研究.pdf

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第 11 期电　　子　　学　　报 Vol. 31 　No. 11 　2003 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov. 　2003 　 ZnO 光电导紫外探测器的制备和特性研究 1 1 1 2 1 1 1 叶志镇 ,张银珠 ,陈汉鸿 ,何乐年 ,邹　璐 ,黄靖云 , 吕建国 ( 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室 ,浙江杭州 310027 ; 2. 浙江大学电机系 ,浙江杭州 310027) ( ) ( ) 　　摘　要 : 　以Si 111 衬底 ,用脉冲激光沉积 PLD 法制得 C 轴高度择优取向的 ZnO 薄膜 ,并利用剥离技术制备了 ZnO 光导型紫外探测器. Al 叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的. 对 Al/ ZnO/ Al 的伏安特性和紫外光响应的研究表 Ω 明,金属铝和 ZnO 能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 100K 左右. 在紫外区域 ,其 5V 偏压下的光响应度为 0. 5A/ W. 关键词 : 　ZnO 薄膜 ; 光电导紫外探测器 ; 欧姆接触 ; 光响应度中图分类号: 　TN957. 52 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2003) Fabrication and Properties of ZnO Photoconductive UV Detector 1 1 1 2 1 1 1 YE Zhizhen ,ZHANG Yinzhu ,CHEN Hanhong ,HE Lenian ,ZOU Lu ,HUANGJingyun ,LU Jianguo ( 1. Zhejiang University State Key Lab of Silicon Material , Hangzhou , Zhejiang 310027 , China ; ) 2. Dept . of electrical engineering , Hangzhou , Zhejiang 310027 , China Abstract : 　Highly caxis oriented ZnO thin films were deposited on single crystal Si( 111) substrates by pulsed laser deposition ( )