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2010’中国电子变压器、电感器第四届联合学术年会论文集
功率IVIOSFET管驱动变压器设计
顾公兵．欧阳玲．廖启新．张宗廉
南京电子技术研究所。南京210039
Methodto theTransformPowerMOSFI明
Design Driving
GU，ling
G0ngbing C)-Yang，C)ixinLIAO．Zonglie叭ZHANG
■■： 对具有驱动变压器的功率MOSFET譬驱动电路的动态过程进行了分析。推导了驱动变压器设计参数(绕组电流有效值，变
压器功率)的计算方法．定量分析了变压器灞感和电路杂散电感对开通过程的影响。并通过仿真和试验验证了这套计算方
法的正确性．
关丝词： 功率MoSF日蕾．驱动变压器．开关电源
Abstract：Inthe whenthedrivecircuitwitha on
looper．thedynamicprocess transformisturnedoroffisanalyzedfirsHy．
andmethod
the tocalculatethemain andvituolvalueofcurrentin
parametersincludingDower orderto
driveIransformis both
derived．thentheeffectof incluctonceoftransformand inductance
design leakage stray
oflinesonthe isdiscussedin the works
dynamicprocess detail．Inend．theischeckedsimulationsanda
upby
drivec#cuit．
ph—一col
words：powerMOSFET,．drive
Key drcuit．switchingpowersupply
1引言 2MOSFET管内部电容与变压器驱动栅极电路
作为开关电源的开关器件。功率MOSFET管具有开关
2．1内部电容
速度快、工作频率高的特点．适用于高频开关电路。此外．
在并联使用时．由于MOSFET管具有正温度系数，可以自 MOSFET管内部电容．也称极问电容．是栅极、源
动均漉．无需均流电路．方便扩流．这也是目前其他功率 极、漏极之问的寄生电容。开关电源最常用N沟道增强型
开关器件不可替代的优点Ill。 MOSFET管田．内部电容分别为：栅一源极间电容q．栅
一漏极问电容C-，漏一源极同电容c^，如图l‘‘’珥。
为了加速开通．减少损耗．对MOSFET管的驱动电路
的基本要求是内阻要小．驱动电压尽量高(但不能超过栅 与漏一源短路条件下小信号输入电容CL的关系：
一源击穿电压)；为了加速关断．应给输入电容提供低阻放 Cb．--C,,+C一 (1)
电通道；为了抑制高频振荡．栅极引线尽量短，减少线路 D
分布参数；为了防止静电感应导致栅极电压J：升引起误导
通．栅极不允许开路．大功率MOSFET管截止时．栅极最
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