PIN型快中子剂量探测器的结构研究.pdfVIP

量响应系数。 虽然两批样管的工艺不完全相同，但在材 料一致、结构相近、工作原理及环境一致的条件 3结果与分析 下，响应规律是一致的。由表1、表2的分析结 实验样管的中子辐照剂量响应测试结果如 果可以看出，剂量响应sD与管芯厚度d近似 图2、图3所示。图中横坐标为中子辐照剂量 成正比(线性)关系，与管芯直径a的平方值近 单位：Gy(空气中单位小组织的吸收剂量)；纵似成反比关系。即： 坐标为实验样管在受中子辐照后累积电压增量 2 (2) SDO：d／a (测试环境相同，测量温度为15℃。测试时实验 考虑到s。表示每单位剂量的快中子辐射 样管正向测试电流为lmA)。图2为第一批工 在相同测试条件下产生的宽基硅二极管的正向 艺样管的实验结果，图例中标示的是样管的厚 电压增量，而(d／a2)与均匀材料电阻R成正 度。图3为第二批工艺样管的实验结果，图例 比，因此，宽基硅二极管快中子剂量探测器可等 中标示的是样管的表面注入区的直径。 效为一个普通二极管与一个辐射灵敏电阻的串 联电路，考虑到其基区空闻对电荷的影响，该二 极管的等效工作电路模型如图4所示，c为该 二极管的等效并联电容。 图4探测器等效工作电路图 由于均匀材料电阻R与d／A成正比，A 为表面灵敏面积，且AOCa2。所以： SDcCd／A (3) 4结论 在本实验涉及的范围内，实验样管可等效 图3不同灵敏区直径样管的实验结果 为～个普通二极管与一个辐射灵敏电阻的串联 由图2、3可以看出，第一批工艺样管的剂 电路。该模型可简化相关测试电路的分析、计 量响应随样管厚度增加而增加；第二批工艺样 算。实验样管的剂量响应与d／A近似成线性 管的剂量响应随样管表面注人区的直径增加而 关系。该结论有助于在工艺一定的条件下，通 降低。对实验结果进行数据分析．第一批工艺 过调整探测器的结构比例调节探测器对快中子 样管的剂量响应与样管厚度的数值关系如表1 的荆量响应。 所示。第二批工艺样管的剂量响应与样管表面 注入区直径的数值关系如表2所示。 参考文献： 裹1不周厚度样蕾的剂量响应与样蕾厚度的救值关系 [1]RosenfddA，et ofP—I—N a1．ADplication diod曲andMosFET 管芯厚度d／mm 1．6 1．8 2 for in and dosimetryg