高度有序多孔阳极氧化铝膜形成机理的探讨.pdfVIP

高度有序多孔阳极氧化铝膜形成机理的探讨 l叭 3H20—_0“+2H30+……② 由于阻挡层厚度减小，阻挡层内部的电场强度增 强，根据氧化溶解模型，由于在强电场中的遂穿效应， ～一—————————————————————一02。进入阻挡层内部与Al“结合形成新的阻挡层“】。 2A1“+302一—_+A1203 另外，一部分反应②中生成的H，O+与反应①中 生成的C20。2。作用，避免被外电场力排出纳米}L。 生成的HC：O。一使阻挡层进一步溶解，从而推动 纳米孔的纵向生长。 (bJ 由以上过程可以看出，HC：O。一在纳米孔的纵向生 圄2氧化铝膜AFM照片(a)表面(b)背面 长过程中起到非常重要的作用，它直接导致阻挡层的 溶解，进一步又促进了新阻挡层的生成，因此HC：O。一 图2(a)为AAO膜表面的AFM照片，从图中可以 看出，纳米孔排列完全无序；图2(b)为同一样品背面聚集的区域，阻挡层溶解的速度快，HC：O。一较少的区 的AFM照片，由图中可以看出，纳米孔排列高度有序， 域，阻挡层溶解的速度慢。 呈六角形。许多研究表明，AAO膜中每个纳米孔上下 3．3纳米孔的自组织过程 贯通，无交叉现象”o，因此可以肯定，在纳米孔纵向生 为了简化问题，先考虑独立的一列纳米孔从无序 长的过程中，其排布经历了一个自组织过程，形成了 到有序的自组织过程，如图3所示： 高度有序的六角形纳米孔阵列。另外，已有研究发现 外电场方向 AAO膜中纳米孔的有序度与孔的深度呈正比”‘，进一 步证明了 3．2纳米孔的纵向生长过程 根据经典的氧化溶解模型”“，多孔层形成后，孔 的纵向生长过程包括阻挡层的溶解和新阻挡层的生 成两个过程。电解液中存在大量的HC：O。一和H+，一 定量的Al”，以及微量的c：O。“和OH一，在强的外电 场力作用下，负离子，主要是HC：04一，会进入纳米孔； 而正离子，H+和Al”，会被排出纳米孔。结果，负离 子，主要是HC：O。一，在纳米孔底部聚集，并有一部分 吸附在A1203上。 HC，O。在纳米孔底部的聚集使得阻挡层溶解成 为可能： A1203+3H20卅Al(OH)3 A1”+ Al(OH)3+3HC204一_3c204”+3 3H2。……① 荔荔彰锄 生成的Ar+会被外电场排出纳米孔，使得反应① 一 【b) 得以进行。 铝阳极氧化过程中，外电场的方向始终垂直 阻挡层的溶解，使得阻挡层变薄，阻挡层电阻减 于铝基体，如果没有其他外力的作用，HC：04一会均匀 小，表面电极电位变正，使新阻挡层的生成反应可以 的分布在每个纳米孔的底部，如图3(a)所示，则每个 发生：